深亚微米CMOS工艺浮栅结构ESD保护电路设计  

作　　者：黄静[1,2] 

机构地区：[1]华东师范大学电子系 [2]南通大学电子信息学院江苏.南通226019

出　　处：《科协论坛（下半月）》2008年第2期84-85,共2页Science & Technology Association Forum

摘　　要：CMOS工艺进入到深亚微米时代,对电路的静电保护能力提出了极大的挑战,本报告在GGNMOS结构ESD保护电路的基础上,提出了一种浮栅结构的静电保护电路和其栅极反偏电路,分析了0.13μmCMOS工艺下浮栅结构NMOS的I-V特性分析和漏电流特性,结果表明该浮栅结构ESD保护电路抗静电能力强、触发电压低,漏电流小。

关 键 词：静电放电(ESD) 浮栅结构 反偏电路 深亚微米 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]