片式高频晶界层电容器  

出　　处：《技术与市场》1997年第1期12-12,共1页Technology and Market

摘　　要：片式高频晶界层电容器该课题采用独创的低温烧结晶界偏析法，利用常规多层陶瓷电容器制作工艺，选用色银合金作内电极材料，成功地制作出了电容量大于ｌｕＦ的ＳｒＴｉＯ３为基础的片式晶界层电容器，其特点是：（１）实现了ＳｒＴｉＯ３的低温半导化烧结及晶界偏析绝缘，...

关 键 词：晶界层电容器 多层陶瓷电容器 低温烧结 内电极浆料 生产工艺 工艺适应性 电极材料 制作工艺 温度变化率 介电常数 

分 类 号：G201[文化科学—传播学]