晶界层电容器

作品数:24被引量:23H指数:3
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相关作者:周和平李龙土王鸿唐晓霞范福康更多>>
相关机构:清华大学中国科学院中南财经政法大学南京化工学院更多>>
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后续处理对SrTiO_(3)基晶界层电容器绝缘电阻的影响
《湖北大学学报(自然科学版)》2021年第3期289-294,共6页张木森 石大为 徐玲芳 王瑞龙 肖海波 梁世恒 杨昌平 
国家自然科学基金(11674086);贵州省经济和信息化委员会技术创新项目(2017021)资助
采用二步法制备SrTiO_(3)晶界层电容器,并对其进行后续热、电和液氮处理,研究处理前后电容器电学性能的变化.实验结果表明,在50 V直流电压和200℃条件下对SrTiO_(3)晶界层电容器进行后续快速退火和液氮处理后,其介电常数和介电损耗在基...
关键词:SrTiO_(3)晶界层电容器 介电性能 后续热电处理 绝缘电阻 
掺杂Dy^(3+)对SrTiO_3晶界层电容器组织性能的影响
《兵器材料科学与工程》2009年第4期47-49,共3页陈显明 黄勇 
研究掺杂Dy3+对SrTiO3晶界层电容器组织性能的影响。Dy3+的加入,在含量较低时可以降低晶粒的界面能,从而可以促进晶粒的长大;而在含量较高时,会引起较高的形变能,为降低形变能,Dy3+易于在晶界上析出第二相质点,这些第二相质点具有细化...
关键词:SRTIO3 晶界层电容器 组织性能 DY 陶瓷 
用于微波电路的单层片式晶界层电容器被引量:3
《微波学报》2007年第B08期112-115,共4页程超 蔡杨 杨俊峰 冯毅龙 赵海飞 
科技部中小企业创新基金(06C26214401624);广东省广州市科技计划基金(20051040052)
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000~50000),电容量变化率低(≤±4.7%~≤±22%),使用温...
关键词:单层片式电容器 晶界层 介电系数 温度特性 系列产品 
制备工艺和添加剂对TiO_2体系陶瓷的复合功能特性的影响被引量:1
《陶瓷学报》2007年第3期195-198,共4页宋朝文 徐庆 黄端平 
TiO2体系复合功能陶瓷是一种兼有压敏功能和介电性能的新型功能陶瓷材料,具有压敏电压低、非线性系数高、介电常数大等优点,在微小型电子设备与器件中有广泛的用途。本文从制备工艺、添加改性等方面分析了TiO2体系复合功能陶瓷的研究现...
关键词:TiO2体系陶瓷 低压压敏电阻器 晶界层电容器 复合功能 
高频感应加热法制备 SrTiO_3 BLC 半导瓷被引量:1
《东南大学学报(自然科学版)》1997年第6期118-122,共5页陈章其 汪云华 吴冲若 
采用真空高频感应加热法制备SrTiO3晶界层电容器半导瓷,研究了掺杂材料、掺杂量、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响.所制备的半导瓷经二次烧结成的SrTiO3BLC,其视在介电常数Keff>3×10...
关键词:半导体陶瓷 晶界层电容器 高频感应加热法 
片式高频晶界层电容器
《技术与市场》1997年第1期12-12,共1页
片式高频晶界层电容器该课题采用独创的低温烧结晶界偏析法,利用常规多层陶瓷电容器制作工艺,选用色银合金作内电极材料,成功地制作出了电容量大于luF的SrTiO3为基础的片式晶界层电容器,其特点是:(1)实现了SrTiO...
关键词:晶界层电容器 多层陶瓷电容器 低温烧结 内电极浆料 生产工艺 工艺适应性 电极材料 制作工艺 温度变化率 介电常数 
一次低烧SrTiO_3基晶界层电容器的研究被引量:3
《硅酸盐学报》1995年第4期444-447,共4页周和平 曾剑平 杜晓锋 王玲玲 
国家自然科学基金
研究了以Li_2CO_3为助烧结剂、Sr(Li_(1/4)Nb_(3/4))O_3为施主掺杂剂、Bi_2O_3和SiO_2为晶界绝缘剂的SrTiO_3基晶界层电容器的一次低温烧成技术。初步探索了Ti/Sr比值、施主掺...
关键词:钛酸锶 烧成 晶界层电容器 一次烧成 电容器 
三种不同SrCO_3粉料对空气中一次烧成SrTiO_3GBBLC的性能影响
《景德镇陶瓷学院学报》1994年第2期39-45,共7页黄新友 肖尊文 徐海洋 陈学文 高春华 
借助XRD、SEM、粒度分析仪,研究了三种常用的不同SrCO_3粉料对空气中一次烧成晶界层电容器(GBBLC)性能的影响。研究结果表明,当SrCO_3中含有多量的受主杂质离子(如Ca^(2+)等)或/和呈严重颗粒团聚状态,阻止GBBLC陶瓷的半导化,从而影响其...
关键词:晶界层电容器 陶瓷 烧成 碳酸锶 钛酸锶 XRD SEM 粒度分析仪 
SrTiO_3独石化晶界层电容器研究被引量:3
《无机材料学报》1994年第2期173-178,共6页钟朝位 张树人 岑孝良 叶耀红 
863计划研究项目
本文研究了低温烧结SrTiO3晶界层瓷料系统中Bi2O3、Li2O、SiO2等掺杂剂对瓷料半导化及烧结特性的作用与影响,讨论了将这种瓷料应用于常规多层陶瓷电容器制作技术的工艺特点和技术关键.实验表明,利用晶界偏析技术...
关键词:低温 烧结 晶界层 电容器 陶瓷 
Li_2CO_3助烧的SrTiO_3基晶界层电容器的研究被引量:2
《现代技术陶瓷》1994年第1期3-10,共8页周和平 陆新民 董为民 李龙土 
本文研究了烧结助剂Li_2CO_3对SrTiO_3基晶界层电容器的显微结构的影响。结果表明,晶间存在Li_2O—TiO_2—SrO液相,并有LiTiO_2、Li_4TiO_4等多种微晶析出;该液相有利于CuO扩散形成高绝缘的中间相层;晶格常数的精确测定表明少量Li^+进入...
关键词:晶界层电容器 钛酸锶 碳酸锂 
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