晶界层

作品数：55被引量：116H指数：5
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相关作者：徐保民王鸿殷之文李军周和平更多>>
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相关期刊：《微波学报》《冶钢科技》《南京工业大学学报（自然科学版）》《中山大学研究生学刊（自然科学与医学版）》更多>>
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后续处理对SrTiO_(3)基晶界层电容器绝缘电阻的影响
《湖北大学学报（自然科学版）》2021年第3期289-294,共6页张木森 石大为 徐玲芳 王瑞龙 肖海波 梁世恒 杨昌平 
国家自然科学基金(11674086);贵州省经济和信息化委员会技术创新项目(2017021)资助
采用二步法制备SrTiO_(3)晶界层电容器,并对其进行后续热、电和液氮处理,研究处理前后电容器电学性能的变化.实验结果表明,在50 V直流电压和200℃条件下对SrTiO_(3)晶界层电容器进行后续快速退火和液氮处理后,其介电常数和介电损耗在基...
关键词：SrTiO_(3)晶界层电容器 介电性能 后续热电处理 绝缘电阻 
电极/表面接触与SrTiO_3陶瓷片介电性能的关系
《湖北大学学报（自然科学版）》2019年第2期132-136,共5页加晶晶 董浩 石大为 黄秋安 何创创 庞锦标 杨昌平 
国家自然科学基金(11674086);贵州省经济和信息化委员会技术创新项目(2017021)资助
理论上,SrTiO_3(以下简称STO)晶界层电容器介电常数取决于陶瓷片的晶粒大小、导电性、晶界绝缘层的厚度和介电常数.但对实际的STO晶界层陶瓷电容器研究发现,金属电极与STO陶瓷片的表面接触对电容器的电容和介电常数也有很大影响.研究表...
关键词：SRTIO3 晶界层电容 介电性能 电极/半导体界面接触 欧姆接触 
SrTiO_3晶界层电容陶瓷的介电性能与晶粒大小的关系被引量：1
《湖北大学学报（自然科学版）》2019年第2期137-141,146,共6页李慧娟 董浩 石大为 何创创 庞锦标 杨昌平 
国家自然科学基金(11674086);贵州省经济和信息化委员会技术创新项目(2017021)资助
采用二次烧结法制备SrTiO_3(STO)多晶陶瓷,研究瓷片介电性能与烧结温度和晶粒大小的关系.实验结果表明,STO晶粒尺寸随烧结的温度呈现先升高后下降的变化,相应的介电常数与晶粒变化类似,即随着温度升高先升后降.在保证还原性气体比例不...
关键词：SrTiO3介电陶瓷 晶界层电容 介电常数 二次烧结法 
氧化锌压敏电阻综合性能的多元掺杂综合调控被引量：30
《高电压技术》2018年第1期241-247,共7页孟鹏飞 胡军 邬锦波 何金良 
国家电网公司科技项目(SGTYHT/15-JS-191);国家自然科学基金(50737001)~~
氧化锌压敏电阻是避雷器的核心元件。研究了多元素掺杂的稀土掺杂的氧化锌压敏电阻的电气性能，选用了铝、镓、钇元素掺杂来综合提高氧化锌压敏电阻的综合电气性能。随着镓元素的引入，稀土钇掺杂的氧化锌压敏电阻的泄漏电流得到了明显...
关键词：氧化锌压敏电阻 电气性能 微观结构 多元掺杂:晶界层 
采用镓离子掺杂的高通流容量氧化锌压敏电阻被引量：15
《中国电机工程学报》2017年第24期7377-7383,共7页孟鹏飞 胡军 邬锦波 何金良 
国家自然科学基金项目(50737001);国家电网公司科技项目(SGTYHT/15-JS-191)~~
ZnO压敏电阻是避雷器的核心器件,其性能决定高压设备的绝缘水平。该文研究了通过氧化镓掺杂来提高氧化锌压敏电阻的通流容量。为此,测试了氧化锌压敏电阻的小电流区以及高场区的I-V特性曲线。小电流区的测试结果表明,镓离子掺杂提高了...
关键词：氧化锌 压敏电阻 电气性能 晶界层 掺杂 
氧化锌压敏电阻冲击老化过程中电容量变化的分析被引量：10
《电瓷避雷器》2014年第5期116-121,127,共7页陈璞阳 杨仲江 李祥超 叶挺 周中山 
国家自然科学基金项目(编号:41175003);江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD)
氧化锌压敏电阻的压敏电压U1 m A和漏电流Ileak作为判断压敏电阻老化的检测参数,在及时性和有效性方面存在一定的不足,故需一种新的方法来保证检测的及时有效。通过对双肖特基势垒畸变理论和热破坏理论的分析,以及氧化锌压敏电阻的冲击...
关键词：氧化锌压敏电阻 晶界层 肖特基势垒 离子迁移 老化 
储能晶界层电容材料的研究进展被引量：2
《电子元件与材料》2010年第8期66-69,共4页叶中郎 朱泽华 谢兆军 
介绍了晶界层材料的储能优势,分析了晶界层材料的储能原理。综述了BaTiO3和CaCu3Ti4O12等晶界层电容器材料的研究现状,并对晶界层储能电容所需的高介电常数和高击穿电压,以及实现这一性能须采取的改性包覆等措施进行了总结与展望。
关键词：储能电容 晶界层材料 综述 掺杂 包覆 
掺杂Dy^(3+)对SrTiO_3晶界层电容器组织性能的影响
《兵器材料科学与工程》2009年第4期47-49,共3页陈显明 黄勇 
研究掺杂Dy3+对SrTiO3晶界层电容器组织性能的影响。Dy3+的加入,在含量较低时可以降低晶粒的界面能,从而可以促进晶粒的长大;而在含量较高时,会引起较高的形变能,为降低形变能,Dy3+易于在晶界上析出第二相质点,这些第二相质点具有细化...
关键词：SRTIO3 晶界层电容器 组织性能 DY 陶瓷 
晶界层介电陶瓷及其单层电容器被引量：5
《材料研究与应用》2008年第3期207-210,共4页杨俊锋 冯毅龙 赵海飞 程超 
科技部科技型中小企业创新基金(06C26214401624)
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能的关系.通过等效电路分析,XRD,SEM显微结构观察,探讨了晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,制成了介电系数可调(10000~50000),电容量变化率低(±4.7%~±22%),使用温域宽(-5...
关键词：SRTIO3 晶界层 单层电容器 
用于微波电路的单层片式晶界层电容器被引量：3
《微波学报》2007年第B08期112-115,共4页程超 蔡杨 杨俊峰 冯毅龙 赵海飞 
科技部中小企业创新基金(06C26214401624);广东省广州市科技计划基金(20051040052)
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(≤±4.7%～≤±22%),使用温...
关键词：单层片式电容器 晶界层 介电系数 温度特性 系列产品 
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