LB膜势垒层高T_c薄膜边缘结的几个实验现象  

SOME EXPERIMENTAL PHENOMENA IN HIGH T_c SUPERCONDUCTING THIN FILM EDGE JUNCTIONS WITH LB BARRIERS

作　　者：刘元圻 张金彪[1] 吴培基[1] 朱道本[1] 孙志坚[2] 吉争鸣[2] 杨森祖[2] 吴培亨[2] 

机构地区：[1]中国科学院化学研究所,北京100080 [2]南京大学信息物理系,南京210008

出　　处：《低温物理学报》1992年第6期475-478,共4页Low Temperature Physical Letters

基　　金：国家自然科学基金;国家超导研究和开发中心的资助

摘　　要：本文介绍了采用有机分子薄膜 LB 膜(Langmuir-Blodgett)作为势垒层边缘结的制备方法.文中给出了在这种结上所观察到的几种不同的电流-电压曲线,并作了若干讨论.High Tc superconducting thin film edge junctions with LB films as barriers were prepared. Some kinds of current-voltage curves observed on these junctions at 4.5K and explanations on them are given in this paper.

关 键 词：势垒层 LB膜 T_c 电压曲线 YBCO 基片温度 高温超导材料 磁控溅射 零电压 液氮温区 

分 类 号：O4[理学—物理]