基片温度

作品数:121被引量:283H指数:9
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基片温度对脉冲激光沉积ZnS:Co薄膜微结构及光学性质的影响研究被引量:2
《真空科学与技术学报》2023年第9期738-744,共7页李树锋 王丽 高东文 
廊坊市科技计划项目(No.2021011002)。
采用脉冲激光沉积技术在石英基片上制备了ZnS:Co薄膜,改变制备过程中石英基片的温度TS,研究了基片温度对薄膜微结构及光学特性的影响。随着基片温度的升高,薄膜的厚度减小,结晶质量得到提升,并朝着(111)方向择优生长。受量子限域效应的...
关键词:脉冲激光沉积 硫化锌掺钴 薄膜 基片温度 
中高温太阳光谱选择性吸收涂层金属钨红外反射层的性能研究被引量:1
《太阳能学报》2021年第12期48-53,共6页杨子键 刘静 汪洪 祖成奎 孟政 余刚 
采用脉冲直流磁控溅射法,在不同的基片温度下制备金属钨薄膜,并对薄膜的反射光谱、电学性能、晶体结构、表面形貌等进行了分析。结果表明,在300℃基片温度下获得完全热力学稳定的体心立方α-W金属膜,并具有(110)晶面择优取向,薄膜电阻率...
关键词:太阳能热利用 发射率 红外反射层 选择性吸收涂层 钨薄膜 基片温度 
同位素^(10)B靶的制备
《原子能科学技术》2021年第3期550-554,共5页樊启文 王华 孟波 
国家自然科学基金资助项目(U1432246,11475264)。
为准确测量^(10)B(n,α)7Li和^(10)B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50~350μg/cm^(2)的^(10)B靶。本文系统研究了同位素^(10)B靶的制备工艺,确定了“压片-烧结-蒸发”三步法制备^(10)B靶。研究了基片温度对^(10)B膜生长过程、结...
关键词:^(10)B靶 电子轰击 蒸发速率 基片温度 
衬底温度对NiFe2O4薄膜生长和磁学性能的影响
《产业与科技论坛》2020年第14期63-64,共2页孙德烨 庄澔淼 姬雪蕾 王晶 刘伟达 王丽丽 
国家自然科学基金(编号:51302019);吉林省科技厅科学技术研究项目(编号:20180520222JH);吉林省产业技术研究与开发项目(编号:2018C043-3);吉林省教育厅“十三五”科技项目(编号:JJKH20191195KJ)研究成果
采用直流磁控溅射方法,保持Ar气流量不变,控制O2气在Ar气与O2气混合气体在Ar/O2=30sccm/90sccm的情况下,采用STO(100)单晶基片制备了FNO薄膜。利用XRD和VSM等测试手段,对STO(100)单晶基片生长的不同基片温度FNO薄膜的结构及磁学性能进...
关键词:NiFe2O4薄膜 基片温度 氧气分压 微观结构 磁学性能 
基片温度对真空蒸镀Ti/LiNbO_3光学薄膜的影响
《徐州工程学院学报(自然科学版)》2018年第3期18-21,共4页汤卉 董鹏展 吕杨 
黑龙江省科学基金项目(E201130)!
利用绿色真空蒸镀技术,在不同LiNbO_3基片温度下制备Ti光学薄膜,研究不同LiNbO_3基片温度对Ti光学薄膜生长过程的影响,结合薄膜生长与原子迁移理论分析影响机理,优化基片温度.对样品表观形貌与薄膜、晶粒择优生长趋向进行分析.研究结果...
关键词:真空蒸镀 Ti光学薄膜 基片温度 
基片温度对磁控溅射HfO_2薄膜结构和性能影响分析被引量:3
《应用光学》2016年第6期872-879,共8页惠迎雪 刘政 王钊 刘卫国 徐均琪 
国家自然科学基金项目(61378050);陕西省科技厅重点实验室项目(2013SZS14-Z02);陕西省教育厅重点实验室科研计划(15JS032)
在纯氧条件下,采用直流磁控溅射技术在单晶硅基片上沉积氧化铪(HfO_2)薄膜,并研究了沉积过程中基片温度对薄膜结构和性能的影响规律。利用X射线衍射仪(XRD)和X射线能谱(XPS)表征了薄膜的晶体结构和组分,利用原子力显微镜(AFM)观察薄膜...
关键词:HFO2薄膜 磁控溅射 晶体结构 组分 纳米力学性能 
基片温度对直流反应磁控溅射法制备氧化钨电致变色材料循环寿命的影响被引量:2
《硅酸盐通报》2016年第6期1847-1850,共4页罗乐平 赵青南 刘旭 丛芳玲 顾宝宝 董玉红 赵杰 
湖北省重大科技创新计划项目(2013AAA005)
通过选取室温、100℃、200℃三个不同基片温度制度来探讨基片温度对氧化钨薄膜电致变色循环寿命的影响。实验结果表明:当基片温度由室温提高至100℃后,氧化钨薄膜的循环寿命有较大的改善,循环次数由806次提高至3000次。当基片温度由100...
关键词:直流反应溅射 氧化钨薄膜 基片温度 循环寿命 光学调制幅度 
基片温度对基于Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的ZnO基TFT性能的影响
《半导体光电》2016年第3期331-337,共7页叶伟 任巍 史鹏 
国家自然科学基金项目(51332003,51202184);中国国际科学技术合作项目(2010DFB13640,2011DFA51880);中国“111工程”项目(B14040)
在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下,采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明,所制备的BZN薄膜拥有非晶态结构,ZnO薄膜具有c轴择优取向,在基片温度为500℃时,获得低的漏电流(10-7 A/cm^2),比RT时的漏电流(10-4 A/...
关键词:铋基焦绿石BZN薄膜 ZnO基薄膜晶体管 射频磁控溅射 界面态密度 亚阈值摆幅 
HFCVD法制备金刚石薄膜影响因素的研究进展被引量:6
《广州化工》2016年第3期20-22,共3页向耿辉 邸永江 杨声平 杨号 
重庆科技学院2014大学生科技创新训练计划项目资助
金刚石薄膜由于其独特的性能成为研究热点。本文通过利用热丝气相沉积法(HFCVD)在基片上制备金刚石薄膜,研究对金刚石薄膜产生影响的各个因素,探讨各个影响因素的研究进展。基体表面预处理,可以提高基体的附着力,改善提高膜基结合力。...
关键词:热丝化学气相沉积 金刚石薄膜 表面预处理 基片温度 沉积气压 
基片温度对WO_3薄膜的微观结构和NO_2气敏特性的影响被引量:5
《中国有色金属学报》2015年第3期740-746,共7页沈岩柏 张宝庆 曹先敏 魏德洲 刘文刚 高淑玲 
国家优秀青年科学基金资助项目(51422402);中央高校基本科研业务费资助项目(N120501002);辽宁省高等学校优秀人才支持计划资助项目(LJQ2013025);教育部高等学校博士学科点专项科研基金新教师类资助课题(20130042120033);教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(47-3)
采用直流反应磁控溅射法,在不同的基片温度条件下制备出具有不同微观结构的WO3薄膜,探讨这些薄膜作为气敏材料对NO2气体的气敏特性。WO3薄膜的晶体结构、表面及断面形貌分别采用X射线衍射和扫描电子显微镜进行表征。结果表明:随着基片...
关键词:三氧化钨 薄膜 基片温度 二氧化氮 气体传感器 
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