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机构地区:[1]电子科技大学,四川成都611731 [2]电子科学技术研究所 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054
出 处:《稀有金属材料与工程》2013年第S1期106-110,共5页Rare Metal Materials and Engineering
基 金:国家自然科学基金资助(61101030)
摘 要:采用直流反应磁控溅射法在Si(100)基片上生长了厚度分别为14.9,34.1,57.6,70.0,83.4和101.7nm的氧化钒薄膜。利用光谱式椭偏仪,并采用基于Bruggeman有效介质理论的Lorentz经典共振模型对所制备的薄膜的膜厚、折射率、消光系数进行了模拟和测量,实验表明薄膜厚度在(10~100)nm左右时,对应于633.18nm测试波长,薄膜的折射率在1.9~2.9,消光系数在0.1~1。Vanadium oxide thin films with thickness of 14.9, 34.1, 57.6, 70.0, 83.4, and 101.7 nm were deposited on Si (100) substrate by a reactive dc magnetron sputtering method. Thickness, refractive index, and extinction coefficient of the films were simulated and measured with a suitable Lorentz Oscillators model, based on the Bruggeman effective medium theory, by spectroscopic ellipsometer. The experiments demonstrate that for the VO x thin films with thickness of 10~100 nm, the film refractive index ranges from 1.9 to 2.9, and the extinction coefficient ranges from 0.1 to 1, with the optical response at 633.18 nm wavelength.
关 键 词:氧化钒 膜厚 折射率 消光系数 Lorentz共振模型
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