Exciton-Phonon Coupling of NN_3 Center in Heavily Nitrogen Doped GaP  

重氮掺杂GaP中NN_3束缚激子与声子的耦合(英文)

作　　者：高玉琳[1] 吕毅军[1] 郑健生[1] 张勇 A.Mascarenhas 辛火平[3] 杜武青[3] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,厦门361005 [2]美国可再生能源实验室 [3]美国加利福尼亚大学电机工程系

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第8期889-893,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 0 2 );厦门大学预研基金 (批准号 :Y0 70 0 5 )资助项目~~

摘　　要：Under heavy nitrogen doping,due to the “concentration quenching” effect,the full spectrum of the NN 3 center is revealed without the interference from the spectra of other higher energy centers.This investigation offers a direct proof for that all the phonon replicas are the phonon sidebands governed by the Huang Rhys’ multiphonon optical transition theory.通过光致发光谱研究了在 1 9～ 4 8K范围内掺氮浓度为 0 .1 2 %时的 Ga PN的 NN3束缚激子与声子的耦合 .直接计算了 NN3束缚激子的 L O,TO和 TA声子伴线的黄昆因子 S,除了 L O声子外 ,得到了 TO和 TA声子伴线的S因子在该温度范围内对温度的依赖关系 .计算表明 ,NN3的 L O,TO和 TA声子的 S因子均与温度无关 ,说明NN3的 L O,TO和 TA声子伴线与它们的零声子线具有相同的温度依赖关系 。

关 键 词：GaPN PHOTOLUMINESCENCE isoelectronic impurity 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]