半导体激光器加速寿命测试系统研制  

Development for semiconductor laser accelerating lifetime testing system

作　　者：亢俊健[1] 张世英[2] 苏美开[3] 王大成 

机构地区：[1]石家庄经济学院光电技术研究所,石家庄050031 [2]西安武警工程学院通信系,西安710086 [3]北京理工大学光电工程系,北京100081 [4]交通部水运科学研究所,北京100088

出　　处：《激光技术》2004年第3期228-230,254,共4页Laser Technology

摘　　要：介绍了半导体激光器 (LD)加速寿命测试的理论依据 ,给出了寿命测试的数学模型 ,并据此研制了新型LD寿命测试系统。该系统在密封抽真空充氮环境下 ,通过采集恒功工作LD的工作电流随时间变化的信息及所处环境的温度 ,绘制出LD的老化曲线 ,即恒功条件下的“I t曲线” ,然后推断LD的使用寿命。This paper introduces the theory of laser diode (LD) accelerating lifetime testing and mathematic model of life testing,based on wihich a new type of LDs burn-in & automatic life testing system was developed.It continuously samples the power of LDs which works under automatic current control and under the airproof condition filled with nitrogen at testing temperature,plots power-time curve of LD and deduces the working life of LD.

关 键 词：激光与光电子学 半导体激光器 加速寿命测试 Arrhenius模型 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]