差分SPV法测量a-Si:H材料少子扩散长度的数学模型  

THE MATHEMATICAL MODEL OF THE DIFFERENTIAL SPV TECHNIQUE FOR MEASURING MINORITY CARRIER DIFFUSION LENGTH OF a-Si:H FILM

作　　者：张治国[1] 宿昌厚[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子工程学系,北京100022

出　　处：《电子科学学刊》1993年第5期487-492,共6页

摘　　要：用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素.The differential measuring mode for minority carrier diffusion length of aSi:H film by SPV technique can eliminate the influence of back juction of the sample. This paper analyses mathematical model of such mode, deduces formula for practical use, and discusses various elements which affect the measured results.

关 键 词：SPV测量 扩散长度 非晶硅材料 模型 

分 类 号：TN304.8[电子电信—物理电子学]