宿昌厚

作品数：18被引量：55H指数：5
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
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发文领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《Journal of Semiconductors》《太阳能学报》更多>>
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论四探针法测试半导体电阻率时的厚度修正被引量：17
《计量技术》2005年第8期5-7,共3页宿昌厚 鲁效明 
论述了用四探针法测量半导体片电阻率时,怎样更好地进行厚度修正,结果才更准确。首先讲述经典四探针法中从厚块原理出发和从薄层原理出发测试体电阻率的原理及其分界点,再论述双位组合四探针法中实现厚度修正的特点,并给出修正函数计算...
关键词：电阻率 厚度修正 四探针法 体电阻率 半导体 厚度 测试 修正函数 分界点 原理 
双电测组合四探针法测试半导体电阻率测准条件被引量：6
《计量技术》2004年第3期7-9,27,共4页宿昌厚 鲁效明 
简述了经典四探针法与双电测组合探法测量电阻率的优缺点 ,重点对双电测组合四探针法测量半导体电阻率的测准条件进行了阐述。并分别对不同形状的半导体材料如何测量进行了讨论 ,并给出了双电测组合法测量电阻率的准确计算公式。
关键词：双电测组合四探针法 半导体 电阻率 测准条件 超越函数 
双电测组合法测试半导体电阻率的研究被引量：19
《Journal of Semiconductors》2003年第3期298-306,共9页宿昌厚 鲁效明 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9346 0 0 2 )~~
对双电测组合四探针法测试方块电阻 (Rs)和体电阻率 ( ρ)进行了研究 ,从理论和实践上揭示三种组合模式的共同优点 :测量结果与探针间距无关 ,可使用不等距探针头 ;具有自动修正边界影响的功能 ,不必寻找修正因子 ;不移动探针头即可得...
关键词：半导体 双电测组合四探针法 方块电阻 电阻率 
M/a-Si:H肖特基势垒参数的测量被引量：1
《应用科学学报》1997年第2期187-192,共6页张治国 宿昌厚 
介绍在中性区光电导调制下实现用高频C-V仪测量M／a-Si：H肖特基势垒参数的方法，把所测结果与其他方法测量值作了比较．对Al/a-Si：H势垒异常现象也进行了描述．
关键词：硅 带隙结构 肖特基势垒参数 测量 
纳米硅带尾态能量分布及其光学带隙被引量：5
《太阳能学报》1996年第2期175-180,共6页张治国 宿昌厚 
假定纳米硅的格点势远小于晶界组元所形成的散射势垒，用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型对纳米硅的带尾态进行计算，发现纳米硅带尾态并不连续。利用计算结果解释了纳米硅和微晶硅、多晶硅及单晶硅相比有较宽的光学带隙和较小的电导的...
关键词：纳米硅 带尾态 光学带隙 电导 能量分布 
双位组合四探针法测量硅片电阻率被引量：3
《微电子学》1994年第3期60-63,共4页鲁效明 宿昌厚 
本文研究用双位组合四探针测量硅材料薄片电阻率的新技术，提出新的计算公式和厚度修正原理。用双位组合法测量不同厚度硅样品所得结果与常规四探针法测得的结果相比较表明，用双位组合法测量较厚（Ｗ／Ｓ＞０．６）样品时，非但不能直...
关键词：硅片 电阻率 回探针法 半导体 
差分SPV法测量a-Si:H材料少子扩散长度的数学模型
《电子科学学刊》1993年第5期487-492,共6页张治国 宿昌厚 
用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素.
关键词：SPV测量 扩散长度 非晶硅材料 模型 
表面光电压法测量a-Si:H少子扩散长度的进一步研究被引量：2
《太阳能学报》1993年第4期348-356,共9页张治国 宿昌厚 
建立用SPV法测量a-Si∶H薄膜少子扩散长度L_p的新的数学模型,推导出可供具有任意输入端口(电流输入或电压输入)的锁相放大器所使用的测量L_p的数学表达式,为改进测试过程和提高准确度创造了条件。对合理选择偏置光强度做了较细致的分析...
关键词：表面光电压法 测量 非晶硅 
确定太阳电池结品质因子的新方法
《太阳能学报》1993年第3期262-265,共4页宿昌厚 
提出了一个确定太阳电池结品质因子Q的新方法,并给出理论推导、求解步骤和实际计算结果。
关键词：太阳电池 品质因子 填充因子 电池结构 
户外太阳电池发电方阵实际工作温度的测定被引量：3
《太阳能学报》1992年第4期412-415,共4页宿昌厚 
根据已知的太阳电池电压温度系数和标准测试条件下的开路电压值,按照实际测出的开路电压推算出的温度,能更准确地代表户外太阳电池方阵中电池的真实工作温度。
关键词：太阳能电池 发电方阵 温度 测量 
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