表面光电压法测量a-Si:H少子扩散长度的进一步研究  

THE FURTHER STUDY ON MEASURING DIFFUSION LENGTH OF MINORITY CARRIER IN a-SI.H WITH SPV METHOD

作　　者：张治国[1] 宿昌厚[2] 

机构地区：[1]内蒙古师范大学物理系,呼和浩特010022 [2]北京工业大学电子工程系,北京100022

出　　处：《太阳能学报》1993年第4期348-356,共9页Acta Energiae Solaris Sinica

摘　　要：建立用SPV法测量a-Si∶H薄膜少子扩散长度L_p的新的数学模型,推导出可供具有任意输入端口(电流输入或电压输入)的锁相放大器所使用的测量L_p的数学表达式,为改进测试过程和提高准确度创造了条件。对合理选择偏置光强度做了较细致的分析,并从实验技术上提出确定偏置光强度的选择准则,给出了测试结果;也分析了不同强度偏置光和不同金属与a-Si∶H肖特基结对测量结果的影响。An improved mathmatical model for measurement of minor carrier diffusion length LP in a-Si:H film by SPV method is presented. The mathmatical expressions suitable tor measuring LP by Lock-in amplifier with voltage and/or current input terminals are derived. Based on meticulous analysis and experimental results, a rule for determination of bias light intensity is put forward. The values of LP obtained for samples with Schottky structure Au (Ag. Pd) -a-Si:H are given.

关 键 词：表面光电压法 测量 非晶硅 

分 类 号：TN304.8[电子电信—物理电子学]