表面光电压法

作品数：8被引量：13H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：罗俊一包宗明黄宜平孙燕朱悟新更多>>
相关机构：广州市昆德科技有限公司浙江大学厦门大学复旦大学更多>>
相关期刊：《半导体光电》《电子学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-8
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
表面光电压法研究氧化工艺铁离子沾污
《半导体光电》2013年第4期600-602,606,共4页廖乃镘 林海青 向华兵 李贝 李仁豪 
表面光电压法(SPV)能精确测量硅片的Fe离子浓度,是一种快速、非破坏性的高灵敏度测试方法。采用表面光电压技术研究了氧化工艺中的Fe离子沾污。研究表明,氧气、氮气、三氯乙烯中含有的微量杂质是氧化工艺中Fe离子沾污的主要来源。通过...
关键词：电荷耦合器件 氧化工艺 Fe离子沾污 表面光电压 
量值恒定的表面光电压法测量半导体少子扩散长度的研究被引量：1
《半导体光电》2010年第5期751-753,共3页邓韡 陈长缨 洪岳 傅倩 
为了在保持材料完整性的基础上,对单晶硅材料的质量进行评价,设计了一种利用表面光电压测量半导体少子扩散长度的系统。系统采用斩波器、单色仪和锁相放大器来获取半导体表面光电压信息,利用表面光电压与材料的光吸收系数的关系得出半...
关键词：硅 量值恒定表面光电压法 少子扩散长度 锁相放大器 
用SPV法对影响硅片少于寿命因素的研究被引量：1
《世界有色金属》2003年第12期30-32,共3页卢立延 曹孜 杜娟 
随着IC工业的发展,对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材料性能的重要物理参数。本文通过表面光电压法(SPV)研究提出单晶工艺、退火前硅片的洁净程度及退火炉的洁净程度...
关键词：硅片 单晶硅 少子寿命 表面光电压法 SPV 
表面光电压法研究抛光硅片制造中铁沾污的来源被引量：5
《材料科学与工程》2001年第1期70-72,66,共4页罗俊一 沈益军 李刚 刘培东 张锦心 包宗明 黄宜平 
铁杂质是硅片制造过程中常见的重金属沾污 ,表面光电压 (SPV)法可很好地用于测定P型硅中铁杂质。本文通过SPV法测试不同流程制造的P型抛光硅片中的铁沾污 ,找到了在P型抛光硅片制造工艺过程中引入铁沾污的主要来源。
关键词：表面光电压法 铁杂质 抛光硅片 半导体材料 
表面光电压测量P型硅抛光片少子扩散长度及铁杂质含量的研究被引量：4
《Journal of Semiconductors》1999年第3期237-241,共5页屠海令 朱悟新 王敬 周旗钢 张椿 孙燕 
表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用 .本文简述了该方法的测量原理 ,给出了直径 1 2 5mm硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据 ,讨论了生产工艺对硅抛光片表面质量的影响 .
关键词：表面光电压法 硅 抛光片 少子扩散长度 测量 
表面光电压法测量a-Si:H少子扩散长度的进一步研究被引量：2
《太阳能学报》1993年第4期348-356,共9页张治国 宿昌厚 
建立用SPV法测量a-Si∶H薄膜少子扩散长度L_p的新的数学模型,推导出可供具有任意输入端口(电流输入或电压输入)的锁相放大器所使用的测量L_p的数学表达式,为改进测试过程和提高准确度创造了条件。对合理选择偏置光强度做了较细致的分析...
关键词：表面光电压法 测量 非晶硅 
表面光电压法测定Al_xGa_(1-x)As的组分和少子扩散长度
《固体电子学研究与进展》1990年第2期200-204,共5页黄景昭 沈qi华 
国家自然科学基金资助课题
本文通过测量n-Al_xGa_(1-x)As/n-GaAs材料的表面光电压并推导了有关的计算公式,判定其光跃迁类型,从而计算出它们的禁带宽度,确定了Al的组分x;计算出它们的少子扩散长度.测量和计算的结果与SEM方法的测量结果基本一致.
关键词：ALGAAS 组分 少子扩散 测量 光电压 
表面光电压法测定半导体光跃迁类型和带隙参数被引量：3
《电子学报》1989年第3期1-7,共7页沈(岂页)华 
国家自然科学基金
本文用表面光电压法测定了半导体材料的光跃迁类型和带隙参数,推导了有关的计算公式,测定了Ge、Si、GaAs、InP、GaP、AlGaAs,GaAsP等材料的禁带宽度和其他能隙等参数,计算结果与其他方法的测量结果基本一致。
关键词：半导体材料 参数 测定 光电压法 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部