张椿

作品数:6被引量:12H指数:3
导出分析报告
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文主题:硅片硅片键合IC硅单晶更多>>
发文领域:电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊:《稀有金属》《Journal of Semiconductors》《中国有色金属学报》更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-6
视图:
排序:
表面光电压测量P型硅抛光片少子扩散长度及铁杂质含量的研究被引量:4
《Journal of Semiconductors》1999年第3期237-241,共5页屠海令 朱悟新 王敬 周旗钢 张椿 孙燕 
表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用 .本文简述了该方法的测量原理 ,给出了直径 1 2 5mm硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据 ,讨论了生产工艺对硅抛光片表面质量的影响 .
关键词:表面光电压法  抛光片 少子扩散长度 测量 
硅片的直接键合被引量:3
《稀有金属》1998年第5期380-384,共5页王敬 屠海令 刘安生 张椿 周旗钢 朱悟新 
介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理。
关键词:硅片 硅片键合 直接键合 材料复合 
氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察被引量:3
《中国有色金属学报》1998年第4期626-630,共5页王敬 屠海令 刘安生 张椿 周旗钢 朱悟新 高曰文 李建明 
采用高压电子显微镜(HVEM)的原位观察技术,在1MV加速电压和室温至650℃加热条件下,观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在500℃以下,氢离子注入缺陷层基本没有变化,在650℃保温时,缺陷的密度逐渐降低,样品中...
关键词: 高压电子显微镜 离子注入  扩散 
SOI键合材料的TEM研究
《稀有金属》1998年第4期274-276,共3页王敬 屠海令 刘安生 周旗钢 朱悟新 张椿 
用横断面透射电子显微术(TEM)研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构。绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀,Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞。
关键词:硅片键合 SOI 界面 微结构 TEM 
P〈111〉硅磨片表面损伤的研究被引量:3
《稀有金属》1997年第2期139-143,共5页刘峥 翟富义 张椿 尤重远 
P〈111〉硅磨片表面损伤的研究刘峥翟富义张椿尤重远(北京有色金属研究总院,北京100088)关键词:硅片损伤层位错1引言自50年代中期以来,一直进行着硅单晶片表面质量方面的研究工作。观测晶片表面机械损伤层的深度,性...
关键词:硅片 损伤层 位错 单晶硅 表面损伤 
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究
《稀有金属》1996年第1期70-74,共5页刘峥 翟富义 张椿 尤重远 
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥,翟富义,张椿,尤重远(北京有色金属研究总院100088)关键词:硅片,背损伤,雾缺陷,吸除作用(一)引言双极型与NMOS集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题,它是指经...
关键词:硅片 背损伤 雾缺陷 吸除 集成电路 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部