硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究  

作　　者：刘峥[1] 翟富义[1] 张椿[1] 尤重远[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1996年第1期70-74,共5页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经过高温（大于１０５０℃）氧化后的ｐ...

关 键 词：硅片 背损伤 雾缺陷 吸除 集成电路 

分 类 号：TN405.2[电子电信—微电子学与固体电子学]