翟富义

作品数：3被引量：3H指数：1
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重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究
《半导体技术》2010年第12期1178-1182,共5页曹孜 石宇 李惠 孙燕 边永智 翟富义 
国家重大科技专项项目(2008ZX02401;2010ZX02302)
采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速...
关键词：重掺硅 单晶 无铬腐蚀 氧化诱生层错 检测 
P〈111〉硅磨片表面损伤的研究被引量：3
《稀有金属》1997年第2期139-143,共5页刘峥 翟富义 张椿 尤重远 
Ｐ〈１１１〉硅磨片表面损伤的研究刘峥翟富义张椿尤重远（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅片损伤层位错１引言自５０年代中期以来，一直进行着硅单晶片表面质量方面的研究工作。观测晶片表面机械损伤层的深度，性...
关键词：硅片 损伤层 位错 单晶硅 表面损伤 
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究
《稀有金属》1996年第1期70-74,共5页刘峥 翟富义 张椿 尤重远 
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经...
关键词：硅片 背损伤 雾缺陷 吸除 集成电路 
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