P〈111〉硅磨片表面损伤的研究  

作　　者：刘峥[1] 翟富义[1] 张椿[1] 尤重远[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1997年第2期139-143,共5页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：Ｐ〈１１１〉硅磨片表面损伤的研究刘峥翟富义张椿尤重远（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅片损伤层位错１引言自５０年代中期以来，一直进行着硅单晶片表面质量方面的研究工作。观测晶片表面机械损伤层的深度，性质及其在高温工艺过程中的变化等工作...

关 键 词：硅片 损伤层 位错 单晶硅 表面损伤 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]