氧化诱生层错

作品数：9被引量：13H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：储佳杨德仁周旗钢阙端麟马向阳更多>>
相关机构：浙江大学北京有色金属研究总院宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司胜高股份有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《稀有金属》《物理学报》《材料导报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国际科技合作与交流专项项目国家科技重大专项更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-8
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究
《半导体技术》2010年第12期1178-1182,共5页曹孜 石宇 李惠 孙燕 边永智 翟富义 
国家重大科技专项项目(2008ZX02401;2010ZX02302)
采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速...
关键词：重掺硅 单晶 无铬腐蚀 氧化诱生层错 检测 
无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错被引量：1
《半导体技术》2010年第8期787-790,共4页刘云霞 周旗钢 孙燕 石宇 曹孜 李惠 
国家02重大科技专项项目(2008ZX02401)
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无C...
关键词：氧化诱生层错 无铬腐蚀液 硅单晶 检测 抛光片 
300mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响被引量：5
《稀有金属》2009年第2期223-226,共4页韩海建 周旗钢 戴小林 
采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内...
关键词：掺氮 300 MM 氧化诱生层错(OSF) 直拉单晶硅 
掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响
《稀有金属》2007年第6期746-749,共4页韩海建 周旗钢 戴小林 肖清华 
科技部国际合作重点项目(2005DFA51050)资助
采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的vo...
关键词：300mm 流动图形缺陷 氧化诱生层错环 掺氮 
微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究被引量：3
《物理学报》2004年第2期550-554,共5页徐进 杨德仁 储佳 马向阳 阙端麟 
国家自然科学重点基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 );国家 863项目 (批准号 :2 0 0 2AA3 1)资助的课题~~
利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮 (NCZ)和不含氮 (CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷 .研究表明 ,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小 ,并有冲出型位错产生 .而在CZ中 ,生成了大量的多面体氧沉淀 ,并且随着热氧化时...
关键词：直拉单晶硅 透射电镜 氧化诱生层错 晶体缺陷 热氧化时间 层错尺寸 
直拉硅中氧化诱生层错研究进展被引量：2
《材料导报》2001年第11期35-37,共3页储佳 杨德仁 阙端麟 
硅中的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量,要求对 OSF 有充分了解。综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了 OSF 的形成动力学、影响因素和检测方法,井指出:OSF 是一种由点缺陷...
关键词：氧化诱生层错 直拉硅单晶 氧沉淀 半导体材料 缺陷 研究进展 动力学 
外吸除用硅片背面加工技术的研究被引量：2
《稀有金属》2001年第5期340-344,共5页闵靖 邹子英 李积和 周子美 陈青松 陈一 
用SEM、TEM和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤 (包括软损伤 )和多晶硅的晶格结构 ,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化 ,探索了吸杂的机理。实验结果表明 ,用本技术能减少S坑密度 ,提高硅片产生寿命 ,对金。
关键词：机械损伤 软损伤 氧化诱生层错 S坑缺陷 外吸除 内吸除 硅片 
慢降温工艺的最佳降温率
《内蒙古大学学报（自然科学版）》1979年第1期53-56,共4页顾世洧 
半导体器件的性能受晶体中缺陷的影响极大。慢降温工艺是一种简单而有效的消除晶体缺陷的方法。本文根据空位和点缺陷的复合,导出了最佳降温率。文中定性地分析了决定最佳降温率的几个因素,指出:最佳降温率与点缺陷的密度成正比;最佳降...
关键词：杂质原子 晶体 填隙 点缺陷 氧化诱生层错 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部