重掺硅

作品数：14被引量：16H指数：2
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重掺硅片表面APCVD法生长SiO_(2)薄膜的致密性
《半导体技术》2024年第6期544-548,共5页史延爽 王浩铭 田原 张旭 武永超 
在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 c...
关键词：常压化学气相沉积(APCVD)法 SiO_(2)薄膜 致密性 自掺杂 沉积速率 
掺杂剂不同的重掺硅片的抛光特性被引量：1
《稀有金属》2021年第8期1018-1024,共7页周莹莹 张果虎 周旗钢 史训达 林霖 路一辰 
国家重点研发计划项目(2017YFB0305603);北京市顺义区科技三项费项目(KS201824)资助。
不同掺杂剂种类的重掺硅片有其特性,为了研究不同掺杂剂硅片的固有特性对化学机械抛光结果的影响,选取应用广泛的重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片进行抛光加工,并在抛光后进行清洗。实验中保持抛光时间相同,抛光液及抛光垫状态一致,使得...
关键词：掺杂剂 重掺硅片 化学机械抛光技术 
掺杂剂对200 mm重掺杂硅片APCVD工艺前表面颗粒的影响被引量：1
《稀有金属》2019年第6期668-672,共5页韩萍 曲翔 周旗钢 肖清华 刘斌 何宇 
国家科技重大专项项目(2010ZX02302001)资助
在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, AP...
关键词：颗粒 存放时间 重掺硅片 常压化学气相沉积 
多晶硅沉积厚度对氧沉淀和洁净区形成的影响被引量：1
《稀有金属》2016年第12期1256-1259,共4页黄栋栋 曲翔 刘大力 周旗钢 刘斌 刘红艳 
国家重大科技专项项目(2010ZX02302-001)资助
硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄...
关键词：重掺硅片 多晶硅吸杂 择优腐蚀 氧沉淀 
电声散射显著降低重掺硅热导率
《中国粉体工业》2016年第5期29-29,共1页
热电材料是一种利用半导体内部载流子与声子间的相互作用，实现热能与电能相互转化的能源材料，具有体积小、重量轻、造价低、无噪声、运行稳定等优点，可用于固态制冷及温差发电等领域，如计算机芯片制冷、激光器制冷、便携式冰箱制冷...
关键词：热导率 重掺硅 声散射 计算机芯片 相互作用 热电材料 能源材料 相互转化 
电子束蒸发沉积重掺硅薄膜及其在低辐射玻璃上的应用被引量：2
《功能材料》2012年第B08期39-42,共4页刘学丽 黄延伟 李向明 席俊华 季振国 
浙江省科技计划基金资助项目(2011C37001);浙江省自然科学基金资助项目(LQ12E02002);校级科研启动基金资助项目(KYS205611036)
采用电子束蒸发法以普通玻璃为基板制备了重掺硅薄膜,通过SEM、EDS、透射光谱对其形貌、成分以及透射率进行了测试表征。进一步采用铝诱导低温晶化法在玻璃基板上沉积Al薄膜,对重掺硅薄膜进行铝诱导晶化。XRD测试、电学性能测试以及可见...
关键词：电子束蒸发 重掺硅薄膜 低辐射玻璃 硅保护层 铝诱导低温晶化法 
重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究
《半导体技术》2010年第12期1178-1182,共5页曹孜 石宇 李惠 孙燕 边永智 翟富义 
国家重大科技专项项目(2008ZX02401;2010ZX02302)
采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速...
关键词：重掺硅 单晶 无铬腐蚀 氧化诱生层错 检测 
激光诱导击穿光谱测量重掺硅中的氧含量(英文)被引量：5
《无机材料学报》2010年第8期893-896,共4页季振国 席俊华 毛启楠 
Zhejiang Provincial Scientific Projects(2008F70015,2009C31007)
利用一台高能脉冲激光器和一个光纤耦合的CCD光谱仪构建了激光诱导击穿光谱仪(LIBS),并用它测量了重掺硅片中的氧含量.硅中的氧含量通过LIBS谱中的O_I(777nm)谱线和Si_I(288nm)谱线的强度比值O_I/Si_I获得.为了确定氧含量的绝对值,选定...
关键词：激光诱导击穿光谱 氧含量 重掺硅 
重掺硅衬底材料中氧沉淀研究进展被引量：1
《半导体技术》2004年第6期76-79,共4页张红娣 刘彩池 
对国内外在重掺硅中氧沉淀方面的研究做了综合阐述,对氧沉淀研究现状和存在问题进行了讨论,同时就热处理,掺杂剂对氧沉淀的影响做了浅析,使人们对重掺硅衬底中氧沉淀这一领域有更深的认识。
关键词：重掺硅 氧沉淀 掺杂剂 热处理 
重掺硅中氧的测定被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1284-1286,共3页刘培东 黄笑容 沈益军 李立本 阙端麟 
研究了重掺硅中氧的测定 ,实验首先选用轻掺 (ρ>10Ω· cm)样品分别用气体熔化分析法 (GFA法 )和傅里叶变换红外法 (FTIR法 )测氧 ,而后用 GFA法测定了重掺锑、砷、硼单晶的氧浓度 .实验发现用 GFA法和 FTIR法测氧 ,二者的结果成很好...
关键词：硅中氧 气体熔化分析法 红外光谱 
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