硅中氧

作品数：27被引量：34H指数：3
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热屏结构对200 mm半导体级提拉单晶硅中氧含量分布的影响被引量：5
《人工晶体学报》2023年第6期1110-1119,共10页芮阳 王忠保 盛旺 倪浩然 熊欢 邹啟鹏 陈炜南 黄柳青 罗学涛 
宁夏回族自治区重点研发计划(2022BFE02007);深圳市基础研究面上项目(JCYJ20210324121813037)。
半导体级单晶硅是芯片的基础核心材料,其晶体的氧含量分布对晶圆品质有重要影响。通过优化提拉单晶炉的热屏结构可有效控制晶体生长过程中的氧含量分布,但难以通过实验探究其内在影响机制。本文采用ANSYS有限元分析,研究了热屏结构对200...
关键词：半导体级单晶硅 氧含量 有限元分析 热屏结构 温度场 流场 
快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响被引量：1
《浙江大学学报（工学版）》2011年第5期928-933,953,共7页陈贵锋 马晓薇 吴建海 马巧云 薛晶晶 郝秋艳 
国家自然科学基金资助项目(50872028);河北省自然科学基金资助项目(E2008000079);河北省教育厅科研计划资助项目(2009318)
研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐...
关键词：中子辐照 电子辐照 掺氮直拉硅 直拉硅 氧沉淀 清洁区 
硅中氧、碳的二次离子质谱(SIMS)分析被引量：7
《现代仪器》2010年第2期40-41,52,共3页何友琴 马农农 王东雪 
本文采用相对灵敏度因子法,对硅中氧、碳含量的SIMS定量分析方法进行研究。通过对样品进行预溅射的方法,氧、碳的的检测限分别可达到6.0e16atoms/cm^3、2.0e16atoms/cm^3。
关键词：硅 相对灵敏度因子 二次离子质谱 定量分析 预溅射 
重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象被引量：1
《质谱学报》2006年第1期26-29,共4页方培源 
在用二次离子质谱(SIMS)进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时,有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高,接近1016atom/cm3的现象。但是只要把分析区域横向移动几百微米的距离,硼浓度就降到正常范围<1×1014atom/cm3。按重掺砷硅单晶...
关键词：痕量硼 重掺砷单晶硅 SIMS定量分析 硅中氧 
高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第5期910-916,共7页刘培东 姜益群 黄笑容 沈益军 李立本 阙端麟 
应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀．实验表明：高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀，一是多碳中心的异质成核长大的氧沉淀，碳原子同时参与氧沉淀的成核和长大，红外光谱上1230cm^-1处无氧沉淀的特征峰，TE...
关键词：氧沉淀 碳氧复合物 直拉硅 硅中氧 硅中碳 
氢退火对掺氮硅中氧施主电学行为的影响被引量：2
《材料科学与工程学报》2003年第3期353-355,共3页王晓泉 杨德仁 余学功 马向阳 阙端麟 
本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主 (TDs)和氮氧 (N O)复合体的影响。实验结果表明 ,在氢气下低温退火对热施主和N O复合体的生成与在氩气下差不多。这说明低温氢退火注入到硅中的氢的量很少 。
关键词：氮氧复合体 直拉单晶硅 氮 掺杂 氢 退火 热施主 电阻率 半导体 
重掺硅中氧的测定被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1284-1286,共3页刘培东 黄笑容 沈益军 李立本 阙端麟 
研究了重掺硅中氧的测定 ,实验首先选用轻掺 (ρ>10Ω· cm)样品分别用气体熔化分析法 (GFA法 )和傅里叶变换红外法 (FTIR法 )测氧 ,而后用 GFA法测定了重掺锑、砷、硼单晶的氧浓度 .实验发现用 GFA法和 FTIR法测氧 ,二者的结果成很好...
关键词：硅中氧 气体熔化分析法 红外光谱 
用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性被引量：3
《材料研究学报》2001年第4期455-458,共4页张维连 孙军生 张恩怀 李嘉席 吴小双 高树良 胡元庆 刘俊奇 
国家自然科学基金资助项目59772037.
用永磁体环形磁场直拉（ＰＭＣＺ）炉代替普通的ＭＣＺ炉生长了质量较高的单晶硅．在ＰＭＣＺ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动，降低以至消除微观生长速率的起伏．在用ＰＭＣＺ法...
关键词：热对流 氧杂质 单晶硅 电阻率 PMCZ炉 晶体生长 永磁场直拉炉 
CZ硅中氧沉淀与P—N结漏电流间的相互关系
《电子材料快报》1999年第10期13-14,共2页徐永宽 
关键词：CZ 硅 氧沉淀 PN结 漏电流 
硅中氧氮扩散研究进展被引量：5
《半导体技术》1999年第6期1-6,共6页税琼 樊瑞新 杨德仁 阙端麟 
着重探讨了氧的低温异常扩散现象， 研究了氮在高温下扩散速率、扩散机理方面的进展，
关键词：扩散 杂质 硅 
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