黄笑容

作品数：5被引量：41H指数：3
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：氧沉淀单晶硅半导体材料重掺杂直拉硅单晶更多>>
发文领域：电子电信动力工程及工程热物理电气工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《太阳能学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金博士科研启动基金国家高技术研究发展计划更多>>
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高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第5期910-916,共7页刘培东 姜益群 黄笑容 沈益军 李立本 阙端麟 
应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀．实验表明：高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀，一是多碳中心的异质成核长大的氧沉淀，碳原子同时参与氧沉淀的成核和长大，红外光谱上1230cm^-1处无氧沉淀的特征峰，TE...
关键词：氧沉淀 碳氧复合物 直拉硅 硅中氧 硅中碳 
重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷被引量：4
《Journal of Semiconductors》2004年第6期662-667,共6页黄笑容 杨德仁 沈益军 王飞尧 马向阳 李立本 阙端麟 
国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 ;60 2 2 5 0 10 );国家高技术研究发展计划 (No.2 0 0 2AA3Z1111)资助项目~~
研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出...
关键词：重掺杂直拉硅 氧沉淀 缺陷 
单晶硅太阳电池的表面织构化被引量：27
《太阳能学报》2002年第3期285-289,共5页席珍强 杨德仁 吴丹 张辉 陈君 李先杭 黄笑容 蒋敏 阙端麟 
国家自然科学基金项目 ( 5 9976 0 35 );教育部高校博士基金;教育部优秀年轻教师基金
一种新型的腐蚀剂 ,磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液 ,首次被用来腐蚀单晶硅太阳电池。在 70℃下 ,用 3%的磷酸钠 (Na3PO4 ·12H2 O)溶液腐蚀 2 5min就能在硅片表面形成金字塔大小均匀、覆盖率高的绒面结构 ,并且其表面反射率也很低。通过...
关键词：单晶硅 织构 磷酸钠 腐蚀 
重掺硅中氧的测定被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1284-1286,共3页刘培东 黄笑容 沈益军 李立本 阙端麟 
研究了重掺硅中氧的测定 ,实验首先选用轻掺 (ρ>10Ω· cm)样品分别用气体熔化分析法 (GFA法 )和傅里叶变换红外法 (FTIR法 )测氧 ,而后用 GFA法测定了重掺锑、砷、硼单晶的氧浓度 .实验发现用 GFA法和 FTIR法测氧 ,二者的结果成很好...
关键词：硅中氧 气体熔化分析法 红外光谱 
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