姜益群

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：成核氧沉淀高碳硅中氧中碳更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第5期910-916,共7页刘培东 姜益群 黄笑容 沈益军 李立本 阙端麟 
应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀．实验表明：高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀，一是多碳中心的异质成核长大的氧沉淀，碳原子同时参与氧沉淀的成核和长大，红外光谱上1230cm^-1处无氧沉淀的特征峰，TE...
关键词：氧沉淀 碳氧复合物 直拉硅 硅中氧 硅中碳 
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