王晓泉

作品数：6被引量：68H指数：4
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：PECVD氮化硅薄膜太阳电池氮化硅多晶硅更多>>
发文领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《材料导报》《Journal of Semiconductors》《太阳能学报》《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家教育部博士点基金教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
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热处理对氮化硅薄膜光学和电学性能的影响被引量：7
《太阳能学报》2006年第3期300-303,共4页龚灿锋 席珍强 王晓泉 杨德仁 阙端麟 
国家自然科学基金项目(No.60225010;90307010)
使用PECVD在单晶硅硅片表面沉积了非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,采用传统的退火炉和快速热退火炉进行了不同时间和温度下的退火比较,并研究了退火对薄膜光学性能以及材料少子寿命的影响。研究发现:氮化硅薄膜经热处理后厚度降低,折射率先...
关键词：氮化硅 热处理 PECVD 
氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究被引量：3
《太阳能学报》2005年第5期613-616,共4页龚灿锋 杨德仁 王晓泉 席珍强 汪雷 阙端麟 
国家自然科学基金项目(60225010;50032010)
利用等离子体增强化学气相沉积技术,在P型直拉单晶硅硅片和铸造多晶硅片以及太阳电池的表面上 沉积了非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并研究了氮化硅薄膜对材料少子寿命和太阳电池性能的影响。研究发现: 氮化硅薄膜显著地提高了晶体硅材料中...
关键词：硅 氮化硅 PECVD 太阳电池 少子寿命 
PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究被引量：43
《太阳能学报》2004年第3期341-344,共4页王晓泉 汪雷 席珍强 徐进 崔灿 杨德仁 
国家自然科学基金项目(59976035);国家自然科学基金重大项目(50032010)
使用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌...
关键词：太阳电池 PECVD 氮化硅 
晶体硅中的铁沉淀规律被引量：8
《Journal of Semiconductors》2003年第11期1166-1170,共5页席珍强 杨德仁 陈君 王晓泉 汪雷 阙端麟 H.J.Moeller 
国家自然科学基金资助项目(批准号 :5 0 0 3 2 0 10;5 99760 2 5 )~~
研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经 110 0℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响 .红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低 ,而且其尺寸较大 ;在铸造多晶硅中 ,铁易在晶界...
关键词：硅 铁 沉淀 少数载流子 
氢退火对掺氮硅中氧施主电学行为的影响被引量：2
《材料科学与工程学报》2003年第3期353-355,共3页王晓泉 杨德仁 余学功 马向阳 阙端麟 
本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主 (TDs)和氮氧 (N O)复合体的影响。实验结果表明 ,在氢气下低温退火对热施主和N O复合体的生成与在氩气下差不多。这说明低温氢退火注入到硅中的氢的量很少 。
关键词：氮氧复合体 直拉单晶硅 氮 掺杂 氢 退火 热施主 电阻率 半导体 
多晶硅太阳电池用SiN薄膜的研究进展被引量：10
《材料导报》2002年第3期23-25,共3页王晓泉 杨德仁 席珍强 
国家自然科学基金(№59976035);教育部优秀青年教师基金;教育部博士点基金
SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,已经越来越广泛地应用于多晶硅太阳电池的制造工艺中。介绍了SiN薄膜在硅太阳电池中的性质,制备方法等研究现状,同时提出了存在的问题并展望了今后的发展趋势。
关键词：SIN 多晶硅 PECVD 太阳电池 氮化硅薄膜 研究进展 性质 制备 
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