龚灿锋

作品数：2被引量：9H指数：2
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：氮化硅PECVD薄膜光学电学氮化硅薄膜更多>>
发文领域：电气工程理学更多>>
发文期刊：《太阳能学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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热处理对氮化硅薄膜光学和电学性能的影响被引量：7
《太阳能学报》2006年第3期300-303,共4页龚灿锋 席珍强 王晓泉 杨德仁 阙端麟 
国家自然科学基金项目(No.60225010;90307010)
使用PECVD在单晶硅硅片表面沉积了非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,采用传统的退火炉和快速热退火炉进行了不同时间和温度下的退火比较,并研究了退火对薄膜光学性能以及材料少子寿命的影响。研究发现:氮化硅薄膜经热处理后厚度降低,折射率先...
关键词：氮化硅 热处理 PECVD 
氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究被引量：3
《太阳能学报》2005年第5期613-616,共4页龚灿锋 杨德仁 王晓泉 席珍强 汪雷 阙端麟 
国家自然科学基金项目(60225010;50032010)
利用等离子体增强化学气相沉积技术,在P型直拉单晶硅硅片和铸造多晶硅片以及太阳电池的表面上 沉积了非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并研究了氮化硅薄膜对材料少子寿命和太阳电池性能的影响。研究发现: 氮化硅薄膜显著地提高了晶体硅材料中...
关键词：硅 氮化硅 PECVD 太阳电池 少子寿命 
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