多晶硅太阳电池用SiN薄膜的研究进展  

Research Progress in SiN for Multicrystalline Silicon Solar Cells

作　　者：王晓泉[1] 杨德仁[1] 席珍强[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《材料导报》2002年第3期23-25,共3页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(№59976035);教育部优秀青年教师基金;教育部博士点基金

摘　　要：SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,已经越来越广泛地应用于多晶硅太阳电池的制造工艺中。介绍了SiN薄膜在硅太阳电池中的性质,制备方法等研究现状,同时提出了存在的问题并展望了今后的发展趋势。Due to the excellent antireflection and passivation,SiN film has been applied in the high-efficiency processing of multicrystalline silicon solar cells recently.In this paper,the properties and fabrication techniques of SiN are introduced,and existing problems and future prospect are reviewed.

关 键 词：SIN 多晶硅 PECVD 太阳电池 氮化硅薄膜 研究进展 性质 制备 

分 类 号：TM914.42[电气工程—电力电子与电力传动] O484[理学—固体物理]