孙燕

作品数：4被引量：11H指数：2
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：抛光片氧化诱生层错硅片表面硅片表面光电压法更多>>
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重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究
《半导体技术》2010年第12期1178-1182,共5页曹孜 石宇 李惠 孙燕 边永智 翟富义 
国家重大科技专项项目(2008ZX02401;2010ZX02302)
采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速...
关键词：重掺硅 单晶 无铬腐蚀 氧化诱生层错 检测 
无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错被引量：1
《半导体技术》2010年第8期787-790,共4页刘云霞 周旗钢 孙燕 石宇 曹孜 李惠 
国家02重大科技专项项目(2008ZX02401)
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无C...
关键词：氧化诱生层错 无铬腐蚀液 硅单晶 检测 抛光片 
测试方法对硅片表面微粗糙度测量结果影响的研究被引量：6
《稀有金属》2009年第6期884-888,共5页孙燕 李莉 孙媛 李婧璐 李俊峰 徐继平 
随着大规模集成电路的快速发展,硅片表面微粗糙度对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视。介绍了几种测量硅片表面微粗糙度的测试方法,并将它们分成三类,简单阐述了每一类测试方法的测试原理,影响测试结果的因素,从实际应用的角度...
关键词：表面微粗糙度 测量 硅片 
表面光电压测量P型硅抛光片少子扩散长度及铁杂质含量的研究被引量：4
《Journal of Semiconductors》1999年第3期237-241,共5页屠海令 朱悟新 王敬 周旗钢 张椿 孙燕 
表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用 .本文简述了该方法的测量原理 ,给出了直径 1 2 5mm硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据 ,讨论了生产工艺对硅抛光片表面质量的影响 .
关键词：表面光电压法 硅 抛光片 少子扩散长度 测量 
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