刘云霞

作品数：1被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：氧化诱生层错CRSI单晶硅单晶抛光片更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错被引量：1
《半导体技术》2010年第8期787-790,共4页刘云霞 周旗钢 孙燕 石宇 曹孜 李惠 
国家02重大科技专项项目(2008ZX02401)
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无C...
关键词：氧化诱生层错 无铬腐蚀液 硅单晶 检测 抛光片 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部