论四探针法测试半导体电阻率时的厚度修正  

Discuss Corrected of Thickness for Measuring Resistivity of Silicon with Four probe Array Method

作　　者：宿昌厚[1] 鲁效明[2] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022 [2]中国计量科学鲁研效究院明,北京100013

出　　处：《计量技术》2005年第8期5-7,共3页Measurement Technique

摘　　要：论述了用四探针法测量半导体片电阻率时,怎样更好地进行厚度修正,结果才更准确。首先讲述经典四探针法中从厚块原理出发和从薄层原理出发测试体电阻率的原理及其分界点,再论述双位组合四探针法中实现厚度修正的特点,并给出修正函数计算式及一部分修正函数数据表。

关 键 词：电阻率 厚度修正 四探针法 体电阻率 半导体 厚度 测试 修正函数 分界点 原理 

分 类 号：TN307[电子电信—物理电子学]