双电测组合四探针法测试半导体电阻率测准条件  

Condition of Accurate Measuring Semiconductor Resistivity by Three Mode Electro-Testing Configuration with Four-point Probes

作　　者：宿昌厚[1] 鲁效明[2] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京10002 [2]中国计量科学研究院,北京100013

出　　处：《计量技术》2004年第3期7-9,27,共4页Measurement Technique

摘　　要：简述了经典四探针法与双电测组合探法测量电阻率的优缺点 ,重点对双电测组合四探针法测量半导体电阻率的测准条件进行了阐述。并分别对不同形状的半导体材料如何测量进行了讨论 ,并给出了双电测组合法测量电阻率的准确计算公式。

关 键 词：双电测组合四探针法 半导体 电阻率 测准条件 超越函数 

分 类 号：TN307[电子电信—物理电子学] TM934.1[电气工程—电力电子与电力传动]