应变和成份调制超晶格的CBED研究  

作　　者：魏晓莉[1] 冯国光[2] 

机构地区：[1]中国科学院物理所 [2]中国科学院北京电子显微镜实验室

出　　处：《电子显微学报》1993年第2期149-149,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

摘　　要：由A晶格和B晶格超薄层构成一维周期性结构称为超晶格。根据超晶格中应变量的大小可对超晶格进行分类,当应变量很小,各层的原子散射振幅相差甚远时,则为成份调制的超晶格,如AlAs/GaAs超晶格:若应变量显著,而各层的原子散射振幅相差不大时,则为也变调制的超晶恪,如In_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格。最近我们用会聚束电子衍射(CBED)研究了成份调制的超晶格AlAs/GaAs和应变调制的超晶格In、Ga_(1-x)As/GaAs的运动学和动力学衍射效应。

关 键 词：半导体 砷化镓 砷化铝 超晶格 会聚束电子衍射 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]