动态电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米IC失效分析中的应用研究  

Study of dynamic electron-beam probe techniques in submicron and deep submicron IC

作　　者：王勇[1] 李兴鸿[1] 

机构地区：[1]北京微电子技术研究所,北京100076

出　　处：《半导体技术》2004年第7期40-42,47,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：对扫描电子显微镜静态/动态/电容耦合电压衬度像、电子束感生电流像、电阻衬度像在亚微米和深亚微米超大规模集成电路中的成像方法和成像特点进行了研究,对各种分析技术在失效分析中的应用进行了深入的探讨,为电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米集成电路故障定位和失效机理分析中的应用提供了理论基础和实践依据。The principle of voltage contrast imaging, EB induced conductivity imaging,resistance contrast imaging used in IC failure analysis are introduced. The imaging methods andcharacteristics of static/dynamic/ captive couple voltage contrast imaging, EB induced conductivityimaging are carried out. All of the work provides theory basis and practice gist for usage of dynamicEB probe techniques in sub-micron and deep sub-micron IC.

关 键 词：扫描电子显微镜 集成电路 失效分析 动态电子束探针检测 

分 类 号：TN407[电子电信—微电子学与固体电子学]