李兴鸿

作品数：11被引量：21H指数：3
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CMOS IC失效机理与老炼频率的关系探讨被引量：2
《电子产品可靠性与环境试验》2016年第5期6-9,共4页李兴鸿 赵俊萍 
从老炼试验的原理、CMOS IC的失效机理和功耗等几个方面对CMOS IC的失效机理与老炼频率的关系进行了探讨。通过分析发现,动态老炼的效果与频率的高低的关系不大。希望此结果对老炼方案的编制和老炼试验的实施起到一定的参考作用。
关键词：集成电路 老炼 失效机理 频率 
CMOS数字IC管脚状态评估被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2015年第6期7-11,共5页李兴鸿 赵俊萍 黄鑫 孙健 
首先,根据CMOS数字IC管脚间的等效结构,给出了无偏置时任意两管脚之间的电压;其次,探讨了地开路时的输出管脚的状态;然后,提取了电源浮空时的等效电路;最后,利用所提取的等效电路,对二极管结构电源浮空电位和浮阱结构电源浮空电位进行...
关键词：管脚 等效结构 管脚电压 二极管结构 浮阱结构 浮空电位 
PMCM器件的失效根因分析
《电子产品可靠性与环境试验》2015年第1期7-10,共4页李兴鸿 赵俊萍 赵春荣 
从塑封多芯片组装(PMCM)器件的电性能测试数据出发,根据器件的环境试验过程和MCM的材料结构、芯片性能,得出了某PMCM器件的失效性质与塑封封装材料、工艺相关的结论;同时讨论了一些PMCM失效分析问题。
关键词：塑封多芯片组装 失效分析 温度测试 
器件温度测试的影响因素
《环境技术》2014年第4期6-9,共4页李兴鸿 赵春荣 赵俊萍 
本文从器件用热像仪的测温过程、常用公式出发,针对测温条件进行了探讨,对公式里面的指数n的取值进行了推算。认为n可取4,但常数C和指数n的取值与波长范围和温度范围有关,要匹配。同时对IC温度分布的精确测量条件也进行了总结。
关键词：红外热像仪 辐射温度 实际温度 n值 
中间电平对CMOS数字电路的影响被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2013年第6期13-16,共4页李兴鸿 赵俊萍 赵春荣 林建京 梁云 
很多情况都可以导致CMOS数字集成电路产生大的电源电流,但以CMOS的输入处于Vilmax与Vihmin之间的转折区而产生的大电流最为常见;而且其影响很重要,甚至会导致闩锁效应而对电路造成损坏。转折区的危险电平由管脚浮空、误操作、输入脉冲...
关键词：互补金属氧化物半导体 数字集成电路 中间电平 大电流 影响 
集成电路三温测试数据在失效分析中的应用被引量：7
《电子产品可靠性与环境试验》2013年第5期1-5,共5页李兴鸿 赵俊萍 赵春荣 
在集成电路的失效分析中,测试数据有非常重要的作用。从集成电路的三温电性能测试数据出发,论述了电性能测试数据与集成电路基本元器件参数的关系,对理清分析思路和揭示集成电路失效的根本原因有一定的帮助。
关键词：测试数据 集成电路 失效分析 
一种硅微波功率三极管的失效分析被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2013年第1期39-43,共5页李兴鸿 赵俊萍 赵春荣 赖世波 
描述了硅微波功率三极管的失效模式,给出了器件输出功率与器件耗损功率的关系,得出了微波脉冲电流与有效值的关系,证明了器件在规定的参数范围内能可靠工作,推论了器件失效发生时的状态。指出器件的失效是热电正反馈熔融烧毁所致,是使...
关键词：硅微波功率三极管 耗散功率 熔融蒸发 
集成电路开短路失效原因探讨被引量：7
《电子产品可靠性与环境试验》2012年第6期20-24,共5页李兴鸿 赵俊萍 赵春荣 赖世波 
对过电应力引起的CMOS集成电路的开短路失效模式,从电路结构、导电通路、误操作等方面进行了失效原因探讨。列举了一些过电应力的来源,说明了电压或电流幅度很小也可导致过电应力烧毁,从而说明了根据失效模式来寻找过电应力来源的困难...
关键词：数字集成电路 过电应力 开路 短路 
深亚微米集成电路中的ESD保护问题被引量：2
《电子与封装》2005年第10期26-31,共6页王勇 李兴鸿 
本文对深亚微米工艺所引起的集成电路抗静电能力下降的原因和传统保护电路设计的缺陷进行了深入的阐述,从制造工艺、保护电路元件和保护电路结构三方面对深亚微米集成电路中的ESD
关键词：深亚微米集成电路 ESD保护 
动态电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米IC失效分析中的应用研究被引量：3
《半导体技术》2004年第7期40-42,47,共4页王勇 李兴鸿 
对扫描电子显微镜静态/动态/电容耦合电压衬度像、电子束感生电流像、电阻衬度像在亚微米和深亚微米超大规模集成电路中的成像方法和成像特点进行了研究,对各种分析技术在失效分析中的应用进行了深入的探讨,为电子束探针检测技术在亚微...
关键词：扫描电子显微镜 集成电路 失效分析 动态电子束探针检测 
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