深亚微米集成电路中的ESD保护问题  

ESD Protection in Deep Sub-micron Integrated Circuit

作　　者：王勇[1] 李兴鸿[1] 

机构地区：[1]北京微电子技术研究所,北京100076

出　　处：《电子与封装》2005年第10期26-31,共6页Electronics & Packaging

摘　　要：本文对深亚微米工艺所引起的集成电路抗静电能力下降的原因和传统保护电路设计的缺陷进行了深入的阐述,从制造工艺、保护电路元件和保护电路结构三方面对深亚微米集成电路中的ESDIn the paper the decrease of electrostatic discharge caused by deep sub-micron process in integrated circuit is introduced. The improvement methods of ESD protection in deep sub-micron integrated circuit are discussed from process protection component and protection circuit.

关 键 词：深亚微米集成电路 ESD保护 

分 类 号：TN301[电子电信—物理电子学]