阵列波导光栅制作关键技术  

作　　者：郑国兴[1] 杜春雷[1] 邱传凯[1] 

机构地区：[1]中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,成都610209

出　　处：《光子技术》2004年第2期77-80,共4页Photon Technology

摘　　要：介绍了阵列波导光栅(AWG)在设计中要考虑的主要结构参数,制作材料,误差来源等。论述了利用CVD制作AWG所需SiO_2光波导的化学过程及其特点,给出了我们制作的光波导的测试数据。给出了通过调整局部设计数据而得到的较好面型的激光直写AWG图形。介绍了我们利用RIE刻蚀得到的AWG实验晶片和利用ICP刻蚀AWG的可行性。

关 键 词：阵列波导光栅 AWG 结构参数 制作材料 SiO2光波导 激光直写光刻 ICP反应离子刻蚀 

分 类 号：TN253[电子电信—物理电子学]