CMOS IC漏极静态电流测试技术的现状与发展  

Progress of Drain Static Current Test Method for CMOS IC's

作　　者：姜岩峰[1] 张晓波[1] 鞠家欣[1] 

机构地区：[1]北方工业大学信息工程学院微电子中心北京市现场总线与自动化技术重点实验室,北京100041

出　　处：《微电子学》2004年第4期446-450,共5页Microelectronics

基　　金：北京市重点实验室开发课题(KF200209)

摘　　要：　全面介绍了CMOS集成电路漏极静态电流(IDDQ)测试技术的现状、应用及其发展趋势。与其它主要用于检测逻辑功能的测试技术不同,IDDQ主要用于检测电路的物理缺陷和工艺故障。作为逻辑功能测试的重要补充,IDDQ技术可提高集成电路的可测性和故障覆盖率,保证集成电路的可靠性。Drain static current (I_(DDQ)) test method for detecting defects of CMOS integrated circuits is summarized, along with its applications and future development. Unlike other test techniques for logic functions of IC's, I_(DDQ) test is used to detect physical defects and process defaults of the circuit. As an important supplement of logic function test, it can improve the testability of IC's and defect coverage, further enhancing the reliability of IC's.

关 键 词：CMOS 故障检测 漏极静态电流 可测试性设计 集成电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]