用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析  

Analysis of Protecting Circuit for OLED Active Matrix Driving Array Based on a-Si TFT

作　　者：张彤[1] 王丽杰[1] 许武[2] 郭小军[1] 赵毅[1] 刘式墉[1] 

机构地区：[1]吉林大学集成光电子国家重点实验室,吉林长春130023 [2]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033

出　　处：《液晶与显示》2004年第4期286-292,共7页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基　　金：国家"973"资助项目(No.2003CB314703);吉林省科技厅重点项目(No.20010301)

摘　　要：在模拟与仿真的基础上,根据MOS器件的源漏击穿特性,分析了用于a SiTFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。The reasons of thin film transistor resource and drain punctured in large voltage condition are analyzed in this paper. An electrostatic diode circuit is designed based on circuit simulation by Am-spice software. This work is beneficial to the design of active matrix thin film transistor array for dri-ving organic light emitting display.

关 键 词：OLED A-SI TFT 有源驱动 穿通效应 布图设计 仿真模拟 

分 类 号：TN27[电子电信—物理电子学] TN44