反应离子镀制备ITO膜  

Reactive ion plating of indium tin oxide films (ITO)

作　　者：王建成[1] 韩丽瑛[2] 

机构地区：[1]河南师范大学物理系,新乡453002 [2]清华大学现代应用物理系,北京100084

出　　处：《光学技术》1993年第5期21-22,共2页Optical Technique

摘　　要：采用反应离子镀新工艺成功地在K9玻璃上制备了ITO(Indium Tin Oxide)透明导电膜,所制备的ITO膜在550～600nm波长范围内,典型的峰值透过率为89%,面电阻为34Ω/□。Films with sheet resistance of 34Ω/□ and peak transmittance of 89% in visible region have been deposited on K9 glass substrate by reactive ion plating deposition.

关 键 词：反应离子镀 透明导电膜 光电子技术 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学]