高平均功率面阵二极管激光器封装  

The Package of High Average Power Diode Laser Array

作　　者：高松信[1] 吕文强[1] 魏彬[1] 武德勇[1] 唐淳[1] 邵冬竹[1] 蒋全伟[1] 左蔚[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900

出　　处：《光电子技术》2004年第3期177-180,共4页Optoelectronic Technology

基　　金：中国工程物理研究院重大预研基金课题

摘　　要：对激光二极管中冷却和界面联接热阻两个关键环节进行了分析 ,设计了一种五层结构的模块式铜微通道冷却器 ,对于腔长 0 .9mm、宽 1 0 mm的线阵激光器二极管 (DL )芯片热阻为0 .39°C/W。对冷却器进行了面阵 DL封装实验 ,在工作电流 5 2 A,电压 41 .4V时 ,封装的面阵 DL输出功率 1 0 0 5 W,电光效率 45 %,中心波长 80 7.3nm,谱宽约 2 .2 nm。经快轴准直后整个面阵输出激光的发散角小于 2°(快轴 )× 1 2°(慢轴 )。The copper micro-channel cooler is designed for diode laser by analyzing of two keys, cooling techique and interfacial heat removal. The thermal impedance of cooler is 0.39 °C/W for 10 mm length and 0.9 mm wide diode lasers bar. The diode laser array is packaged with the micro-channel cooler, the average output power of diode array is 1 005 W with 52A current and 41.4 V voltage at 807.2 nm center wavelength and 2.2 nm FWHM. The divergence of array is less than 2 degree in the fast-axis and 12 degree in the slow-axis.

关 键 词：微通道冷却器 激光二极管 封装 

分 类 号：TN313.4[电子电信—物理电子学]