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出 处:《电子器件》2004年第3期397-401,共5页Chinese Journal of Electron Devices
摘 要:从该类芯片的 D类 DC-AC谐振转换工作模式出发 ,对芯片中的两块核心电路 :可控频率的波形发生器和电平移位电路进行了理论分析和基于 Hspice的电路仿真 ,仿真采用 0 .6μm Bi CMOS工艺。同时对片上集成的高压功率器件进行了结构上的探讨 ,并使用Originated from the D-class DC-AC Resonant Converting Mode, the details of two kernel circuits including Frequency-Controlled Waveform generator and Level-Shift circuit were analyzed and simulated with Hspice based on 0.6 μm BiCMOS Technology. The structure of the high-voltage power device was also discussed and the verification of its structure was based on the simulation using MEDICI.
分 类 号:TM923.64[电气工程—电力电子与电力传动]
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