具有垂直磁各向异性的TbCo/Cr非晶磁化膜  

作　　者：黄致新[1] 李佐宜[1] 但旭[2] 晋芳[1] 李震[1] 林更琪[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074 [2]华中师范大学物理科学与技术学院,湖北武汉430079

出　　处：《中国稀土学报》2004年第4期550-550,共1页Journal of the Chinese Society of Rare Earths

摘　　要：采用不加偏压的磁控溅射方法,制备了具有垂直磁晶各向异性的TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并且就Cr底层对TbCo膜磁性能的影响进行了研究。研究发现TbCo磁性层的厚度以及Cr底层的存在都会影响TbCo薄膜磁晶各向异性能的大小。对于厚度为120 nm,并且带有180 nm厚度Cr底层的Tb31C69薄膜而言,其磁晶各向异性能高达4.57×106 erg·cm-3,而对于同样厚度的Tb31C69薄膜,当它没有带Cr底层时,其磁晶各向异性能只有3.24×106 erg·cm-3。扫描电镜的观测结果表明,带有Cr底层的TbCo薄膜具有柱状结构。正是TbCo薄膜内的柱状结构导致了其磁晶各向异性的增强。

关 键 词：垂直磁晶各向异性 磁控溅射方法 铽-钴薄膜 铬底层 柱状结构 非晶磁化膜 

分 类 号：TM27[一般工业技术—材料科学与工程] O484.43[电气工程—电工理论与新技术]