在深亚微米MOS技术中HC退化与ESD的相互作用  

The Interaction of HC Degradation and ESD in Deep Submicrometer MOS Technologies

作　　者：施周渊[1] 赵守臣[1] 汤玉生[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微电子技术研究所,上海200030

出　　处：《压电与声光》2004年第5期414-417,427,共5页Piezoelectrics & Acoustooptics

摘　　要：述了深亚微米 MOS技术中热载流子 (HC)退化效应的机理。重点讨论了超大规模集成 (VL SI)中两个可靠性问题沟道热载流子 (CHC)退化与静电释放 (ESD)之间的相互作用 ,特别是漏 /源工艺上的均衡和潜在的损伤。最后又说明了热载流子的产生如何优化The principle of HC(Hot carrier) is reviewed first in deep submicrometer MOS technologies. Then, it is investigated that the interaction of the two reliability problems CHC and ESD in VLSI. Especially, the tradeoff of CHC and ESD in drain/source engineering and the latent damage is discussed in detail. It is also shown that the generation of HC can optimize the ESD performance.

关 键 词：MOS静电释放(ESD) 热载流子(HC) 沟道热载流子(CHC) 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]