汤玉生

作品数：25被引量：24H指数：3
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供职机构：上海交通大学微电子学院微电子技术研究所更多>>
发文主题：神经MOS晶体管热载流子MOSFET模拟乘法器MOS器件更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊：《传感技术学报》《微电子学》《微细加工技术》《西安电子科技大学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
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在深亚微米MOS技术中HC退化与ESD的相互作用
《压电与声光》2004年第5期414-417,427,共5页施周渊 赵守臣 汤玉生 
述了深亚微米 MOS技术中热载流子 (HC)退化效应的机理。重点讨论了超大规模集成 (VL SI)中两个可靠性问题沟道热载流子 (CHC)退化与静电释放 (ESD)之间的相互作用 ,特别是漏 /源工艺上的均衡和潜在的损伤。最后又说明了热载流子的产生...
关键词：MOS静电释放(ESD) 热载流子(HC) 沟道热载流子(CHC) 
一种新型的开关共点耦合神经MOS晶体管
《固体电子学研究与进展》2003年第1期23-26,34,共5页曹亚明 汤玉生 
神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是一种多输入多阈值的高功能度新型 MOS器件。作者在其改进结构钟控神经 MOS晶体管的启发之下 ,提出了一种新型的开关共点耦合神经 MOS晶体管结构。在这种新的结构中 ,控制信号通道经传输门在一点接入浮...
关键词：神经MOS晶体管 神经金属氧化物半导体晶体管 
钟控神经MOS晶体管的建模及其电路仿真被引量：4
《固体电子学研究与进展》2003年第1期89-95,共7页曹亚明 汤玉生 
神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是最近才发明出来的一种高功能度的多输入多阈值的新型 MOS器件。在其十年的发展历程中 ,一些新型结构又被陆续提出 ,以期获得更加优越的性能。文中建立了一种新型Neu MOS即钟控 Neu MOS晶体管的 PSPICE...
关键词：神经MOS晶体管 建模 电路仿真 神经金属-氧化物-半导体晶体管 钟控神经晶体管 子电路模型 模拟行为建模功能 浮栅电势 
增强IC单元器件功能是微电子技术横向拓展的重要策略
《世界产品与技术》2002年第9期26-28,共3页汤玉生 管慧 等 
关键词：IC 单元器件功能 微电子技术 芯片 发展趋势 
电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器
《固体电子学研究与进展》2002年第2期158-163,共6页王明宇 汤玉生 管慧 
电阻耦合型神经 MOS晶体管是在电容耦合 (浮栅 )型神经 MOS晶体管基础上提出来的 ,它克服了电容耦合型神经 MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点。文中介绍了电阻耦合型神经 MOS晶体管的基本结构和特点 。
关键词：电阻耦合型 神经MOS晶体管 差分四象限模拟乘法器 场效应 栅电压值 金属-氧化物-半导体晶体管 
一种低压BiCMOS四象限模拟乘法器的设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2000年第3期270-275,共6页管慧 汤玉生 
提出了一种结构简单的采用 Bi CMOS线性区跨导和输入预处理电路的低压 Bi CMOS四象限模拟乘法器 ,详细分析了电路的结构和设计原理。设计采用典型的 1.2 μm Bi CMOS工艺 ,并给出了电路的 SPICE模拟结果。模拟结果表明 ,当电源电压为±...
关键词：模拟集成电路 模拟乘法器 四象限 设计 BICMOS 
采用神经MOS晶体管的低压四象限模拟乘法器的设计被引量：2
《固体电子学研究与进展》2000年第2期144-151,共8页管慧 汤玉生 
神经 MOS晶体管是最近几年才发明出来的一种高功能度的器件。本文以新开发的神经MOS晶体管的 SPICE宏模型为模拟和验证的工具 ,讨论了采用这种器件实现低压四象限模拟乘法器的系统化设计思想和方法。基于这种设计思想和方法 ,设计了一...
关键词：半导体晶体管 模拟乘法器 神经MOS 四象限 
神经MOS晶体管被引量：5
《半导体技术》2000年第1期2-7,共6页管慧 汤玉生 
神经MOS晶体管是1991年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅MOS器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新器件及其电路的国外研究现状。
关键词：神经MOS晶体管 浮栅器件 MOS器件 
MOSFET栅电流分布的理论建模
《电子学报》1999年第10期124-127,共4页汤玉生 郝跃 
小尺寸ＭＯＳＦＥＴ的强场性、场畸变性和漏区尺度比例的增大，使它的分布效应增强．更准确地描述小尺寸器件的栅电流需要分布模型．本文依据“幸运电子”概念，基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型，建立了ＮＭＯＳＦＥＴ ...
关键词：电子栅电流 空穴栅电流 分布模型 MOSFET 
MOS沟道和衬底电流的二维分布理论建模被引量：1
《电子学报》1999年第7期72-75,共4页汤玉生 郝跃 
国防科技预研项目资助
小尺寸ＭＯＳ器件参量具有很强的分布效应，需要二维模型描述．本文从ｙ截面流函数方程求解获得了ＭＯＳ器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型．模型是横向场Ｅｙ（ｙ）和纵向场Ｅｘ（ｙ）的函数．二维分布模型载有较充分的物理...
关键词：二维分布模型 流函数方程 热载流子 MOS器件 
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