神经MOS晶体管

作品数：7被引量：13H指数：3
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神经MOS晶体管在A/D和D/A转换器中的应用
《现代电子技术》2007年第10期1-3,共3页杨洲 何怡刚 
国家自然科学基金(50677014);高校博士点(20060532016);湖南省自然科学基金(06JJ2024);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-04-0767)
神经MOS晶体管是一种具有多输入栅加权信号控制和阈值可调控的高功能度的新型器件。以神经MOS晶体管的Pspice宏模型为模拟和验证的工具,讨论了基于这种器件的A/D和D/A转换器的设计思想和方法,证明了他能很大程度地减少晶体管数目,简化电...
关键词：神经MOS晶体管 宏模型 A/D D/A 
浮栅技术及其应用被引量：3
《现代电子技术》2004年第24期8-10,共3页张家龙 何怡刚 
介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。并对 2种应用了浮栅技术的典型器件—浮栅 MOS晶体管和神经MO S晶体管做了详细介绍 ,分析了他们的基本结构和工作原理 ,以及建立浮栅 MOS晶体管的等效模型 ,并说明了他们的应用情况及存在的不足。
关键词：浮栅技术 隧道效应 电子陷阱 浮栅MOS晶体管 神经MOS晶体管 阈值电压 
一种新型的开关共点耦合神经MOS晶体管
《固体电子学研究与进展》2003年第1期23-26,34,共5页曹亚明 汤玉生 
神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是一种多输入多阈值的高功能度新型 MOS器件。作者在其改进结构钟控神经 MOS晶体管的启发之下 ,提出了一种新型的开关共点耦合神经 MOS晶体管结构。在这种新的结构中 ,控制信号通道经传输门在一点接入浮...
关键词：神经MOS晶体管 神经金属氧化物半导体晶体管 
钟控神经MOS晶体管的建模及其电路仿真被引量：4
《固体电子学研究与进展》2003年第1期89-95,共7页曹亚明 汤玉生 
神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是最近才发明出来的一种高功能度的多输入多阈值的新型 MOS器件。在其十年的发展历程中 ,一些新型结构又被陆续提出 ,以期获得更加优越的性能。文中建立了一种新型Neu MOS即钟控 Neu MOS晶体管的 PSPICE...
关键词：神经MOS晶体管 建模 电路仿真 神经金属-氧化物-半导体晶体管 钟控神经晶体管 子电路模型 模拟行为建模功能 浮栅电势 
电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器
《固体电子学研究与进展》2002年第2期158-163,共6页王明宇 汤玉生 管慧 
电阻耦合型神经 MOS晶体管是在电容耦合 (浮栅 )型神经 MOS晶体管基础上提出来的 ,它克服了电容耦合型神经 MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点。文中介绍了电阻耦合型神经 MOS晶体管的基本结构和特点 。
关键词：电阻耦合型 神经MOS晶体管 差分四象限模拟乘法器 场效应 栅电压值 金属-氧化物-半导体晶体管 
采用神经MOS晶体管的低压四象限模拟乘法器的设计被引量：2
《固体电子学研究与进展》2000年第2期144-151,共8页管慧 汤玉生 
神经 MOS晶体管是最近几年才发明出来的一种高功能度的器件。本文以新开发的神经MOS晶体管的 SPICE宏模型为模拟和验证的工具 ,讨论了采用这种器件实现低压四象限模拟乘法器的系统化设计思想和方法。基于这种设计思想和方法 ,设计了一...
关键词：半导体晶体管 模拟乘法器 神经MOS 四象限 
神经MOS晶体管被引量：5
《半导体技术》2000年第1期2-7,共6页管慧 汤玉生 
神经MOS晶体管是1991年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅MOS器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新器件及其电路的国外研究现状。
关键词：神经MOS晶体管 浮栅器件 MOS器件 
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