检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]湖南大学电气与信息工程学院,湖南长沙410082
出 处:《现代电子技术》2004年第24期8-10,共3页Modern Electronics Technique
摘 要:介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。并对 2种应用了浮栅技术的典型器件—浮栅 MOS晶体管和神经MO S晶体管做了详细介绍 ,分析了他们的基本结构和工作原理 ,以及建立浮栅 MOS晶体管的等效模型 ,并说明了他们的应用情况及存在的不足。This paper presents the basic principle and appli ca tion of floatinggate technology. Floatinggate MOS transistors a nd neuron MOS transistors, two typical devices which use floatinggate te chnology are introduced in the article.The structures, operating principles, e qual models and shortages of them are also presented in this paper.
关 键 词:浮栅技术 隧道效应 电子陷阱 浮栅MOS晶体管 神经MOS晶体管 阈值电压
分 类 号:TP302.2[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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