0.25μm SOI RF nMOSFETs Depleted Partially  

部分耗尽0.25μmSOI射频nMOSFET(英文)

作　　者：李俊峰[1] 杨荣[1] 赵玉印[1] 柴淑敏[1] 刘明[1] 徐秋霞[1] 钱鹤[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第9期1061-1065,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究与发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 AA1Z15 80)~~

摘　　要：Device structure and fabrication process of SOI nMOSFET depleted partially are p roposed for multi-gigahertz RF applications.Many advanced techniques for deep submiron MOSFETs are incorporated into the proposed device.Main steps and condit ions in process are given in details,with simulation and optimization by using t he process simulator,Tsuprem4.Experiment results of 0.25μm SOI RF nMOSFET are i n consistence with simulated ones,and excellent or acceptable parameters of devi ce performance are obtained for multi-gigahertz RF applications.结合多项用于深亚微米集成电路的新技术 ,提出了用于数 GHz射频集成电路的 SOI n MOSFET器件结构和制造工艺 .经过半导体工艺模拟软件 Tsuprem4仿真和优化 ,给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件 .制作了0 .2 5 μm SOI射频 n MOSFET器件 ,结构和工艺参数同仿真结果一致 。

关 键 词：STRUCTURE PROCESS simulation EXPERIMENT silicon on insulator radio frequency 

分 类 号：TN385[电子电信—物理电子学]