氧化钒薄膜的制备及其光电特性研究  

Preparation of VO_2 Thin Film and Study on Its Optical and Electrical Properties

作　　者：王宏臣[1] 易新建[1] 陈四海[1] 黄光[2] 李雄伟[1] 

机构地区：[1]华中科技大学光电子工程系,湖北武汉430074 [2]华中科技大学图像识别与人工智能教育部重点实验室,湖北武汉430074

出　　处：《中国激光》2003年第12期1107-1110,共4页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6 0 10 6 0 0 3);华中科技大学研究生科技创新基金 (编号 :YCJ 0 2 0 0 3)资助项目

摘　　要：采用一种新工艺在Si和Si3 N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜 ,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到 3个数量级 ,红外透过率在相变前后改变达到 6 0 %。This paper presents a new method of preparation of VO2 thin film with a good performance and studies its microstructure, optical and electric properties. The test results show that comparing before and after phase transition, the resistivity changes about 103 orders, and the IR transmittance changes up to 60%.

关 键 词：薄膜技术 氧化钒薄膜 温度相变特性 光电特性 微光开关 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] O484.41[理学—物理]