基于光谱学方法半导体激光器热特性测量  

作　　者：南矿军[1] 张永刚[1] 李爱珍[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

出　　处：《飞通光电子技术》2002年第3期132-135,共4页

摘　　要：报道了一种基于激射光谱进行半导体激光器热特性测量的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导应变补偿多量子阱激光器的激射光谱,可以得到该激光器的热阻等热特性参数。实验中也测量了该激光器的其他与热特性相关的光谱特性,如激光器激射光谱随驱动电流的变化等。该方法也可用于其他波段半导体激光器的热特性测量。

关 键 词：激射光谱 半导体激光器 热特性参数 多量子阱激光器 参数测量 脊波导 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]