真空蒸发制备Cd(Se,S)薄膜及其光学性能研究  

Growth and Optical Properties of Vacuum Deposited Cd(Se,S) Films

作　　者：李蓉萍[1] 荣利霞[2] 

机构地区：[1]内蒙古大学理工学院,呼和浩特010021 [2]中国科学院高能物理所,北京100039

出　　处：《真空科学与技术学报》2004年第3期219-221,共3页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：内蒙古自治区自然科学基金资助项目 (No .9713 0 1 3 )

摘　　要：利用真空蒸发技术在CdS粉末中掺入不同比例的Se粉末作源 ,选择合适的工艺条件在玻璃衬底上获得了性能稳定的Cd(Se ,S)薄膜 ,薄膜为纤锌矿结构 ,具有沿 [0 0 2 ]晶向的择优取向。Cd(Se ,S)薄膜为n型材料 ,在可见光范围内具有良好的透过率。随Se成分的增加 ,薄膜由透明橘黄色变为透明棕红色 。High quality,stable Cd(Se,S) films were successfully grown on glass substrates with vacuum deposition of CdS and Se powders.the transmittance of the n type Cd(Se,S) films was found to be rather high in the visible light range.As Se concentration increases,red shift of the absorption edges of Cd(Se,S) can be observed.

关 键 词：Cd(Se S)薄膜 三元化合物半导体 光学性能 制备 真空蒸发 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]