三元化合物半导体

作品数：8被引量：21H指数：3
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相关作者：郑直雷岩李蓉萍张强褚君浩更多>>
相关机构：中国科学院许昌学院内蒙古大学中国科学院宁波材料技术与工程研究所更多>>
相关期刊：《人工晶体学报》《真空科学与技术学报》《Journal of Semiconductors》《高压物理学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部“优秀青年教师资助计划”四川省应用基础研究计划项目更多>>
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晶体生长炉坩埚旋转控制系统的研制
《微计算机应用》2005年第3期297-297,共1页宋德杰 刘俊成 
目前,大体积高质量晶体材料的制备为国防高技术装备所急需.作为一种新型室温核辐射探测器材料--CdZnTe(CZT)备受瞩目.CZT单晶是一种三元化合物半导体,主要用来制作探测器,其特点在于禁带宽度大,电阻率高,平均原子序数高,对核辐射射线的...
关键词：晶体生长炉 旋转 控制系统 坩埚 三元化合物半导体 研制 核辐射探测器 探测器材料 流动稳定性 梯形波 技术装备 晶体材料 禁带宽度 原子序数 阻止本领 外加偏压 生长条件 生长理论 单晶生长 大体积 CZT 电阻率 漏电流 新材料 
真空蒸发制备Cd(Se,S)薄膜及其光学性能研究
《真空科学与技术学报》2004年第3期219-221,共3页李蓉萍 荣利霞 
内蒙古自治区自然科学基金资助项目 (No .9713 0 1 3 )
利用真空蒸发技术在CdS粉末中掺入不同比例的Se粉末作源 ,选择合适的工艺条件在玻璃衬底上获得了性能稳定的Cd(Se ,S)薄膜 ,薄膜为纤锌矿结构 ,具有沿 [0 0 2 ]晶向的择优取向。Cd(Se ,S)薄膜为n型材料 ,在可见光范围内具有良好的透过...
关键词：Cd(Se S)薄膜 三元化合物半导体 光学性能 制备 真空蒸发 
三温区坩埚下降法生长硫镓银晶体被引量：7
《人工晶体学报》2003年第4期324-328,共5页张伟 朱世富 赵北君 刘敏文 李一春 
四川省应用基础研究基金资助 (99- 479)
本文通过对硫镓银单晶生长习性的分析研究 ,设计组装了三温区单晶炉 ,采用三温区坩埚下降法生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2 单晶体 ,尺寸达10mm× 2 5mm。实验测定了AgGaS2 晶体的差热分析曲线和红外透射谱 ,以及单晶 { 112 }解理...
关键词：三温区 坩埚下降法 晶体生长 硫镓银 单晶体 三元化合物半导体 
太阳能光电材料CuInSe_2的研究进展被引量：8
《材料导报》2001年第5期11-13,共3页张辉 马向阳 杨德仁 
国家自然科学基金(No.59976035);教育部优秀青年教师基金;教育部博士点基金资助
综述了太阳能光电材料CuInSe_2的研究历史和现状,主要讨论了CuInSe_2的光学性质、电学性质、及其掺杂对禁带宽度的影响,介绍了薄膜的制备方法特别是硒化法,最后综述了目前存在的问题及其发展趋势。
关键词：光电材料 太阳能电池 制备方法 材料 铜 铟 硒 三元化合物半导体 硒化法 
溅射参数对Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学常数的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第2期187-192,共6页谢泉 侯立松 阮昊 干福熹 李晶 
国家自然科学基金重大资助项目 !批准号 :5 983 2 0 60&&
研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率先增大后减小 ,而消光系数先减小后增大 .(2 )当溅射氩气气压一定时 ,对于非晶态...
关键词：光学常数 GE2SB2TE5薄膜 溅射参数 三元化合物半导体 
Hg_(1-x)Cd_xTe在高压下的结构、状态方程与相变被引量：2
《高压物理学报》2000年第4期298-301,共4页顾惠成 陈良辰 褚君浩 鲍忠兴 刘克岳 王金义 郑康立 
中国科学院红外物理国家重点实验室资助
利用X射线粉末衍射方法 ,在室温高压下观察到了Hg1-xCdxTe(x =0 .19)的相变。实验是在DAC高压装置上完成的 ,压力从 0逐步加至 10 1GPa。在常温常压下Hg1-xCdxTe(x =0 .19)具有闪锌矿结构。从实验结果看到 ,在压力为 3GPa和 6 8～ 8 3...
关键词：高压 X射线衍射 状态方程 相变 晶体结构 三元化合物半导体 可改变带隙 闪锌矿结构 
Cd_(1-x)Zn_xTe在高压下的电学性质、状态方程与相变
《高压物理学报》2000年第4期269-272,共4页鲍忠兴 褚君浩 柳翠霞 刘克岳 王金义 
中国科学院红外物理国家重点实验室资助
在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 ,它在 3 1GPa左右和 5GPa左右发生了两次电子结构相变 ,而在 3 1GPa以上和 5 7GPa左右发生了两次...
关键词：电阻 电容 电学性质 状态方程 相变 高压 三元化合物半导体 体弹模量 Gruneisen参数 
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