单晶体

作品数：344被引量：579H指数：11
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透射电镜表征晶体结构的程序设计原理
《云南大学学报（自然科学版）》2024年第1期114-119,共6页任令祺 陈亮维 梁琦 李毅 虞澜 
国家自然科学基金(51962017)。
表征晶体结构是透射电镜(TEM)的常规分析工作.文章介绍了在透射电子衍射方法下任意单晶体结构与衍射花样之间的关系.为了简化仪器操作和透射电子衍射数据分析,根据前述晶体结构与衍射花样的关系运用Python计算机语言设计智能化采集单晶...
关键词：单晶体 透射电子衍射 衍射花样 晶体结构分析 透射电镜 
碲硒锌镉单晶体的垂直布里奇曼法生长与性能研究
《半导体光电》2024年第1期105-110,共6页陈治 方晨旭 代轶文 李含冬 
国家自然科学基金项目(62374025,U20A20145)。
碲锌镉(CdZnTe)是目前最重要的室温半导体核辐射探测器材料。而在CdZnTe晶格中以Se替位部分Te得到碲硒锌镉(CdZnTeSe),将使得晶格中离子键的成分增加,从而提高晶体的硬度,降低Cd空位和Te夹杂物缺陷浓度,提升材料质量。为了获得适宜于核...
关键词：CdZnTeSe 垂直布里奇曼法 晶体生长 结晶质量 
韶关冶炼厂自主成功制备出高质量砷化镓单晶
《中国有色冶金》2023年第4期16-16,共1页
7月14日,中金岭南韶关冶炼厂稀贵金属绿色回收与提取实验室半导体衬底材料中试团队利用自有技术成功生产出第一根砷化镓单晶棒,单晶棒外观质量优良,初步判定为零缺陷长单晶体。此次实验第一次投料就成功产出成晶率高、质量优良的单晶棒。
关键词：零缺陷 韶关冶炼厂 绿色回收 稀贵金属 自有技术 中金岭南 单晶体 实验室 
关于具有双掺杂源漏的单晶体管同或门的研究被引量：1
《微处理机》2023年第4期12-14,共3页杨敏 靳晓诗 
为优化传统可重构场效应晶体管以改善器件的正向电流参数,提出一种双掺杂源漏可重构场效应晶体管。该器件可作为突触器件应用于二值神经网络的同或操作中。器件通过对源区和漏区进行重掺杂使其与金属源漏电极之间形成势垒更窄的欧姆接触...
关键词：可重构场效应晶体管 双掺杂源漏 同或门 高集成 
单晶体多电极读出高纯锗探测器^(76)Ge的0νββ甄别研究
《中国科学：物理学、力学、天文学》2023年第7期51-65,共15页杨璟喆 曾志 程建平 田阳 李玉兰 
国家自然科学基金(编号:U1865205)资助项目。
^(76)Ge的无中微子双贝塔(0νββ)衰变探测实验中本底抑制十分关键,单电子(本底事例)和双电子(0νββ事例)事例甄别因其信号特征区分度极小而十分具有挑战性.本文针对单晶体多电极读出的高纯锗探测器建立了波形模拟研究方法,对双面交...
关键词：无中微子双贝塔衰变 多电极高纯锗探测器 波形甄别方法 机器学习 
稀土掺杂的单晶体发光材料在电梯应急照明上的应用
《上海节能》2022年第12期1606-1608,共3页赵志伟 洪波 
首次提出了稀土掺杂的单晶体发光材料在电梯应急照明上的应用,稀土掺杂的单晶体发光材料发光性能出色、使用寿命长、适应多种恶劣环境等,可逐步替代目前的白炽灯或商用LED节能灯作为电梯的应急照明灯,有助于节能减排和稀土元素的有效利...
关键词：稀土 单晶体 发光材料 电梯 应急照明 
物质结构和元素周期律知识检测题
《中学生数理化（高一使用）》2021年第12期43-48,共6页雷范军 
―、选择题(本题共7个小题,每小题6分,共42分,在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的)。1.中国科学院院士卢嘉锡与法裔加拿大科学家Gignere巧妙地利用尿素(H2NCONH2)和H_(2)O_(2)形成化合物H2NCONH2·H_(2)O_(2),不但使H_(...
关键词：题目要求 中国科学院院士 元素周期律 衍射实验 卢嘉锡 选择题 法裔加拿大 单晶体 
氮化硼可制备半导体器件-天元新材
《超硬材料工程》2021年第2期17-17,共1页无 
氮化硼可以应用在制备半导体元器件方面,这是日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(C-BN)的最新技术成果,他们成功地制造了世界上第一个能在650℃温度下稳定工作的P-N结型二极管。在此之前,硅半导体广泛用作电子...
关键词：无机材料 半导体元器件 科学技术厅 半导体器件 立方氮化硼 硅半导体 最新技术成果 单晶体 
单晶体或集合体硬玉与翡翠的宝石学鉴定特征
《超硬材料工程》2020年第4期52-56,共5页李刘杰 熊燕 刘念川 
通过对实验室收到的三件浅紫色样品进行常规宝石学测试,记录下它们的颜色、透明度、光泽、密度和折射率等信息,然后在正交偏光镜下观察其结构特点,确定这三件样品分别为集合体、单晶体与集合体混合体和单晶体。最后使用大型仪器电子探...
关键词：单晶体 集合体 硬玉 翡翠 
SiC单晶体放射状裂纹缺陷研究
《半导体技术》2020年第6期479-483,共5页张皓 张政 孙科伟 陈建丽 孟大磊 郭森 窦瑛 
在采用物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)单晶的过程中,放射状裂纹是常见的缺陷。使用微分干涉显微镜对SiC单晶体和晶体抛光片表面形貌进行观测,结合晶体突变光滑面生长模型,对PVT法生长的SiC单晶放射状裂纹缺陷的形成机理进行了研究...
关键词：碳化硅(SiC) 物理气相传输(PVT) 放射状裂纹 晶体生长模型 微管 
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